Componenti a semiconduttore

indica le esercitazioni. I componenti e gli apparecchi di ciascuna esercitazione si visualizzano espandendo la voce.

1. Parte principale

2. 1 Diodi raddrizzatori Gleichrichterdioden pag. 1
3. 1.1 Esercitazione: Effetto della giunzione PN nei diodi Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden pag. 1
   2 componenti / apparecchi

   • 1 × 9104 Resistori a strato
   • 1 × 9114 Diodi
4. 1.2 Esercitazione: Rappresentazione delle curve caratteristiche di diodi realizzati con diversi materiali semiconduttori Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe pag. 3
   3 componenti / apparecchi

   • 1 × 9104 Resistori a strato
   • 1 × 9114 Diodi
   • 1 × 9121 LED
5. 1.3 Esercitazione: Circuito a punto medio a un impulso M1 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 pag. 5
   4 componenti / apparecchi

   • 1 × 9104 Resistori a strato
   • 1 × 9111 Condensatori elettrolitici
   • 1 × 9112 Condensatori (contenitore grande)
   • 1 × 9114 Diodi
6. 1.4 Esercitazione: Ponte a due impulsi B2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 pag. 8
   4 componenti / apparecchi

   • 1 × 9104 Resistori a strato
   • 1 × 9111 Condensatori elettrolitici
   • 1 × 9112 Condensatori (contenitore grande)
   • 4 × 9114 Diodi
7. 2 Diodi Zener Z-Dioden pag. 11
8. 2.1 Esercitazione: Caratteristica diretta e inversa dei diodi Zener Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden pag. 11
   2 componenti / apparecchi

   • 1 × 9104 Resistori a strato
   • 1 × 9114 Diodi Zener
9. 2.2 Esercitazione: Limitazione della tensione continua con diodi Zener Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden pag. 13
   3 componenti / apparecchi

   • 1 × 9104 Resistori a strato
   • 1 × 9108 Potenziometri
   • 3 × 9114 Diodi Zener
10. 2.3 Esercitazione: Collegamento in serie e in antiserie di diodi Zener Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden pag. 19
    3 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 3 × 9114 Diodi
    • 1 × 9114 Diodi Zener
11. 2.4 Esercitazione: Limitazione della tensione alternata e protezione dalle sovratensioni con diodi Zener Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden pag. 21
    3 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 1 × 9108 Potenziometri
    • 2 × 9114 Diodi Zener
12. 2.5 Esercitazione: Stabilizzazione della tensione con diodi Zener Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden pag. 25
    4 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 1 × 9111 Condensatori elettrolitici
    • 1 × 9114 Diodi
    • 1 × 9114 Diodi Zener
13. 3 Esercitazione: Diodi luminosi (LED) Leuchtdioden pag. 27
    2 componenti / apparecchi

    • 2 × 9104 Resistori a strato
    • 2 × 9121 LED
14. 4 Transistor bipolari Bipolare Transistoren pag. 31
15. 4.1 Esercitazione: Verifica della struttura a strati e del comportamento raddrizzante dei transistor bipolari Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren pag. 31
    3 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 1 × 9108 Potenziometri
    • 1 × 9118 Transistor
16. 4.2 Esercitazione: Distribuzione delle correnti nel transistor ed effetto di comando della corrente di base Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms pag. 35
    3 componenti / apparecchi

    • 2 × 9104 Resistori a strato
    • 2 × 9108 Potenziometri
    • 2 × 9118 Transistor
17. 4.3 Esercitazione: Le curve caratteristiche del transistor Die Kennlinien des Transistors pag. 39
    3 componenti / apparecchi

    • 4 × 9104 Resistori a strato
    • 4 × 9108 Potenziometri
    • 4 × 9118 Transistor
18. 4.4 Esercitazione: Influenza della resistenza di carico sulle proprietà del transistor Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften pag. 44
    4 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 1 × 9108 Potenziometri
    • 1 × 9110 Condensatori
    • 1 × 9118 Transistor
19. 5 Transistor unipolari (transistor a effetto di campo a giunzione) Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) pag. 49
20. 5.1 Esercitazione: Verifica della struttura a strati e del comportamento raddrizzante dei FET Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs pag. 49
    3 componenti / apparecchi

    • 2 × 9104 Resistori a strato
    • 2 × 9108 Potenziometri
    • 1 × 9118 Transistor a effetto di campo a giunzione
21. 5.2 Esercitazione: Caratteristica diretta delle giunzioni PN del gate nei FET Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs pag. 51
    3 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 1 × 9108 Potenziometri
    • 1 × 9118 Transistor a effetto di campo a giunzione
22. 5.3 Esercitazione: Effetto di comando del gate nel FET a canale N Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET pag. 53
    3 componenti / apparecchi

    • 2 × 9104 Resistori a strato
    • 1 × 9108 Potenziometri
    • 1 × 9118 Transistor a effetto di campo a giunzione
23. 5.4 Esercitazione: Caratteristiche di uscita del FET Ausgangskennlinien des FETs pag. 56
    3 componenti / apparecchi

    • 3 × 9104 Resistori a strato
    • 2 × 9108 Potenziometri
    • 2 × 9118 Transistor a effetto di campo a giunzione
24. 6 MOS-FET (IG-FET) pag. 63
25. 6.1 Esercitazione: Effetto di comando del gate nel MOS-FET ad arricchimento Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET pag. 63
    3 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 1 × 9108 Potenziometri
    • 1 × 9118.11 Transistor MOS a effetto di campo
26. 6.2 Esercitazione: Caratteristiche di uscita del MOS-FET ad arricchimento Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs pag. 67
    3 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 2 × 9108 Potenziometri
    • 2 × 9118.11 Transistor MOS a effetto di campo
27. 7 Transistor unigiunzione (UJT) Unijunction-Transistor (UJT) pag. 73
28. 7.1 Esercitazione: Verifica del tratto interbase nel transistor unigiunzione Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor pag. 73
    2 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 1 × 9118.9 Transistor unigiunzione
29. 7.2 Esercitazione: Caratteristiche di commutazione del transistor unigiunzione Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors pag. 75
    3 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 1 × 9108 Potenziometri
    • 1 × 9118.9 Transistor unigiunzione
30. 7.3 Esercitazione: Caratteristiche di comando del transistor unigiunzione Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors pag. 78
    3 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 1 × 9108 Potenziometri
    • 1 × 9118.9 Transistor unigiunzione
31. 8 Tiristori Thyristoren pag. 81
32. 8.1 Esercitazione: Tiristore diodo (DIAC) Thyristordiode (DIAC) pag. 81
    3 componenti / apparecchi

    • 1 × 9104 Resistori a strato
    • 1 × 9108 Potenziometri
    • 2 × 9114.4 Diac
33. 8.2 Esercitazione: Tiristore triodo (tiristore) Thyristortriode (Thyristor) pag. 84
    6 componenti / apparecchi

    • 3 × 9104 Resistori a strato
    • 3 × 9108 Potenziometri
    • 1 × 9110 Condensatori
    • 3 × 9117.1 Tiristore
    • 3 × 9121 Lampade
    • 3 × 9125 Interruttore a levetta (on/off, unipolare)
34. 8.3 Esercitazione: Tiristore bidirezionale (TRIAC) Zweirichtungsthyristor (TRIAC) pag. 89
    4 componenti / apparecchi

    • 2 × 9104 Resistori a strato
    • 2 × 9108 Potenziometri
    • 2 × 9117.2 Triac
    • 2 × 9121 Lampade

35. Sezione soluzioni

36. Soluzioni L 1 Lösungen L 1 L 56

37. Appendice

38. Appendice Anhang A 1
39. Abbreviazioni e simboli utilizzati Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
40. Elenco dei componenti a innesto Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
41. Alimentatori e strumenti di misura necessari Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5

42. Lucidi

43. Lucido Folie
44. ELECTRONIC BOARD (Tipo 1018) ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

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