Halbleiterbauelemente

marks experiments. Components and devices per experiment can be expanded.

1. Main part

2. 1 Gleichrichterdioden p. 1
3. 1.1 Experiment: Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden p. 1
   2 components / devices

   • 1 × 9104 Film Resistors
   • 1 × 9114 Diodes
4. 1.2 Experiment: Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe p. 3
   3 components / devices

   • 1 × 9104 Film Resistors
   • 1 × 9114 Diodes
   • 1 × 9121 LEDs
5. 1.3 Experiment: Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 p. 5
   4 components / devices

   • 1 × 9104 Film Resistors
   • 1 × 9111 Electrolytic Capacitors
   • 1 × 9112 Capacitors (large housing)
   • 1 × 9114 Diodes
6. 1.4 Experiment: Zweipuls-Brückenschaltung B2 p. 8
   4 components / devices

   • 1 × 9104 Film Resistors
   • 1 × 9111 Electrolytic Capacitors
   • 1 × 9112 Capacitors (large housing)
   • 4 × 9114 Diodes
7. 2 Z-Dioden p. 11
8. 2.1 Experiment: Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden p. 11
   2 components / devices

   • 1 × 9104 Film Resistors
   • 1 × 9114 Zener Diodes
9. 2.2 Experiment: Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden p. 13
   3 components / devices

   • 1 × 9104 Film Resistors
   • 1 × 9108 Potentiometers
   • 3 × 9114 Zener Diodes
10. 2.3 Experiment: Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden p. 19
    3 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 3 × 9114 Diodes
    • 1 × 9114 Zener Diodes
11. 2.4 Experiment: Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden p. 21
    3 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 1 × 9108 Potentiometers
    • 2 × 9114 Zener Diodes
12. 2.5 Experiment: Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden p. 25
    4 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 1 × 9111 Electrolytic Capacitors
    • 1 × 9114 Diodes
    • 1 × 9114 Zener Diodes
13. 3 Experiment: Leuchtdioden p. 27
    2 components / devices

    • 2 × 9104 Film Resistors
    • 2 × 9121 LEDs
14. 4 Bipolare Transistoren p. 31
15. 4.1 Experiment: Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren p. 31
    3 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 1 × 9108 Potentiometers
    • 1 × 9118 Transistors
16. 4.2 Experiment: Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms p. 35
    3 components / devices

    • 2 × 9104 Film Resistors
    • 2 × 9108 Potentiometers
    • 2 × 9118 Transistors
17. 4.3 Experiment: Die Kennlinien des Transistors p. 39
    3 components / devices

    • 4 × 9104 Film Resistors
    • 4 × 9108 Potentiometers
    • 4 × 9118 Transistors
18. 4.4 Experiment: Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften p. 44
    4 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 1 × 9108 Potentiometers
    • 1 × 9110 Capacitors
    • 1 × 9118 Transistors
19. 5 Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) p. 49
20. 5.1 Experiment: Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs p. 49
    3 components / devices

    • 2 × 9104 Film Resistors
    • 2 × 9108 Potentiometers
    • 1 × 9118 Junction Field-Effect Transistors
21. 5.2 Experiment: Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs p. 51
    3 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 1 × 9108 Potentiometers
    • 1 × 9118 Junction Field-Effect Transistors
22. 5.3 Experiment: Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET p. 53
    3 components / devices

    • 2 × 9104 Film Resistors
    • 1 × 9108 Potentiometers
    • 1 × 9118 Junction Field-Effect Transistors
23. 5.4 Experiment: Ausgangskennlinien des FETs p. 56
    3 components / devices

    • 3 × 9104 Film Resistors
    • 2 × 9108 Potentiometers
    • 2 × 9118 Junction Field-Effect Transistors
24. 6 MOS-FET (IG-FET) p. 63
25. 6.1 Experiment: Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET p. 63
    3 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 1 × 9108 Potentiometers
    • 1 × 9118.11 MOS Field-Effect Transistor
26. 6.2 Experiment: Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs p. 67
    3 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 2 × 9108 Potentiometers
    • 2 × 9118.11 MOS Field-Effect Transistor
27. 7 Unijunction-Transistor (UJT) p. 73
28. 7.1 Experiment: Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor p. 73
    2 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 1 × 9118.9 Unijunction Transistor
29. 7.2 Experiment: Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors p. 75
    3 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 1 × 9108 Potentiometers
    • 1 × 9118.9 Unijunction Transistor
30. 7.3 Experiment: Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors p. 78
    3 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 1 × 9108 Potentiometers
    • 1 × 9118.9 Unijunction Transistor
31. 8 Thyristoren p. 81
32. 8.1 Experiment: Thyristordiode (DIAC) p. 81
    3 components / devices

    • 1 × 9104 Film Resistors
    • 1 × 9108 Potentiometers
    • 2 × 9114.4 Diac
33. 8.2 Experiment: Thyristortriode (Thyristor) p. 84
    6 components / devices

    • 3 × 9104 Film Resistors
    • 3 × 9108 Potentiometers
    • 1 × 9110 Capacitors
    • 3 × 9117.1 Thyristor
    • 3 × 9121 Lamps
    • 3 × 9125 Toggle Switch (on/off, single-pole)
34. 8.3 Experiment: Zweirichtungsthyristor (TRIAC) p. 89
    4 components / devices

    • 2 × 9104 Film Resistors
    • 2 × 9108 Potentiometers
    • 2 × 9117.2 Triac
    • 2 × 9121 Lamps

35. Solutions

36. Lösungen L 1 L 56

37. Appendix

38. Anhang A 1
39. Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
40. Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
41. Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5

42. Transparencies

43. Folie
44. ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

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