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Potentiometers

Type 9108 ...

Potentiometers

Plug-in potentiometers from 100 Ω to 1 MΩ with rotary knob and scale, power rating 0.5 W.

Description

pluggable, in an unbreakable transparent plastic housing with three gold-plated lamella plugs, rotary knob with scale 0 ... 10 on the top of the housing

Technical data

  • Plug arrangement in the 19 mm grid
  • Plug diameter: 4 mm
  • Resistance tolerance: +/- 20 %
  • Power rating: 0,5 W
  • Housing dimensions: 38 x 57 x 35 mm (W x D x H)

Individual types

Value Version Type
100 Ω 9108.1-1
220 Ω 9108.1-2
470 Ω 9108.1-3
1,0 kΩ 9108.2-1
4,7 kΩ 9108.2-2
10 kΩ 9108.2-3
22 kΩ 9108.2-4
47 kΩ 9108.2-5
100 kΩ 9108.2-6
500 kΩ 9108.2-7
1,0 MΩ 9108.3-1
100 kΩ logarithmic, 0.25 W 9108.4-1
Back to Overview Catalogue page 4 (PDF, German)

Type numbers as named in the component overviews and experiments of the hps manuals. The detail page of each type lists the experiments in which it is used. As of 2026-09-06

Type Description Experiments Manuals
9108.2-1 1 kΩ (0,4 W) 60 V 0101 V 0103 V 0104 V 0105
9108.2-3 10 kΩ 17 V 0103 V 0104

Taken from the tables of contents of the hps experiment manuals (titles, numbers and pages). All manuals are German; titles are shown in the original language. All manuals and experiments

V 0101 Gleichstromtechnik Manual · 92 pages 3 experiments

Mentioned in 3 experiments Named in the manual as 9108.2-1 View table of contents

  1. 4.6 Fotowiderstand (LDR) 1 × p. 23
  2. 4.10 Unbelasteter Spannungsteiler 1 × p. 31
  3. 4.11 Belasteter Spannungsteiler 1 × p. 33
V 0103 Halbleiterbauelemente Manual · 168 pages 17 experiments

Mentioned in 17 experiments Named in the manual as 9108.2-1, 9108.2-3 View table of contents

  1. 2.2 Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 1 × p. 13
  2. 2.4 Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden 1 × p. 21
  3. 4.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × p. 31
  4. 4.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × p. 35
  5. 4.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × p. 39
  6. 4.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × p. 44
  7. 5.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs 2 × p. 49
  8. 5.2 Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs 1 × p. 51
  9. 5.3 Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET 1 × p. 53
  10. 5.4 Ausgangskennlinien des FETs 2 × p. 56
  11. 6.1 Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET 1 × p. 63
  12. 6.2 Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs 2 × p. 67
  13. 7.2 Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors 1 × p. 75
  14. 7.3 Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors 1 × p. 78
  15. 8.1 Thyristordiode (DIAC) 1 × p. 81
  16. 8.2 Thyristortriode (Thyristor) 3 × p. 84
  17. 8.3 Zweirichtungsthyristor (TRIAC) 2 × p. 89
V 0104 Grundschaltungen der Elektronik Manual · 243 pages 27 experiments

Mentioned in 27 experiments Named in the manual as 9108.2-1, 9108.2-3 View table of contents

  1. 1.1 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 2 × p. 1
  2. 1.2 Verstärkergrundschaltungen mit Feldeffekt-Transistoren (FET) 1 × p. 6
  3. 1.3.1 Zweistufiger Wechselspannungsverstärker 1 × p. 11
  4. 1.3.2 Darlington-Verstärker 2 × p. 15
  5. 1.3.3 Emittergekoppelter Verstärker 1 × p. 18
  6. 1.3.4 Phasenumkehrstufen 2 × p. 21
  7. 1.3.5 Differenzverstärker 2 × p. 25
  8. 1.3.6 Zweistufiger Gleichspannungsverstärker mit Komplementärtransistoren 2 × p. 29
  9. 1.4 Gegentaktendverstärker 1 × p. 33
  10. 1.5.1 Gegenkopplung 3 × p. 37
  11. 1.5.2 Mitkopplung 1 × p. 43
  12. 2.1.1 Schwellwert-Schalter (Schmitt-Trigger) 2 × p. 48
  13. 2.3.1 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × p. 61
  14. 2.3.2 Sinusgenerator mit LC-Glied 1 × p. 63
  15. 3.1 Amplitudenmodulator und -demodulator 2 × p. 65
  16. 3.2 Frequenzmodulator 1 × p. 70
  17. 4.2.1 Spannungsregler (linear) 1 × p. 87
  18. 4.2.2 Stromregler 1 × p. 89
  19. 4.2.3 Schaltspannungsregler 1 × p. 92
  20. 5.1.1 Anschnittsteuerung mit Gleichrichterwirkung 1 × p. 99
  21. 5.1.2 Anschnittsteuerung ohne Gleichrichterwirkung 1 × p. 104
  22. 5.2 Anschnittsteuerung mit TRIAC 1 × p. 108
  23. 5.3 Vollwellensteuerung mit Nullspannungsschalter 2 × p. 111
  24. 7.1 Operationsverstärker als invertierender Verstärker 1 × p. 133
  25. 7.2 Operationsverstärker als nichtinvertierender Verstärker 1 × p. 137
  26. 7.3 Operationsverstärker als Summierer 1 × p. 140
  27. 7.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 1 × p. 145
V 0105 Grundlagenversuche Elektrotechnik–Elektronik Manual · 274 pages 21 experiments

Mentioned in 21 experiments Named in the manual as 9108.2-1 View table of contents

  1. 4.5 Fotowiderstand (LDR) 1 × p. 21
  2. 4.9 Unbelasteter Spannungsteiler 1 × p. 30
  3. 4.10 Belasteter Spannungsteiler 1 × p. 31
  4. 17.5 Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 1 × p. 171
  5. 18.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × p. 183
  6. 18.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × p. 187
  7. 18.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × p. 191
  8. 18.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × p. 196
  9. 18.5 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 2 × p. 201
  10. 18.6 Stromregler mit Transistor 1 × p. 206
  11. 18.7 Phasenumkehrstufe mit Transistor 1 × p. 209
  12. 18.8 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × p. 211
  13. 19.1 Thyristortriode (Thyristor) 3 × p. 213
  14. 20.1 Operationsverstärker als invertierender Verstärker 1 × p. 221
  15. 20.2 Operationsverstärker als nichtinvertierender Verstärker 1 × p. 225
  16. 20.3 Operationsverstärker als Summierer 1 × p. 228
  17. 20.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 1 × p. 233
  18. 21.1 Widerstandsmessung mit der Wheatstone-Brücke 1 × p. 241
  19. 21.5 Maxwell-Brücke 1 × p. 251
  20. 21.6 Maxwell-Wien-Brücke 1 × p. 253
  21. 21.7 Kondensator-Messbrücke 1 × p. 255