0
Potentiometrar

Typ 9108 ...

Potentiometrar

Insticksbara potentiometrar från 100 Ω till 1 MΩ med vridratt och skala, belastbarhet 0,5 W.

Beskrivning

insticksbar, i en okrossbar, genomskinlig plastkapsling, med tre förgyllda lamellkontakter, vridratt med skala 0 ... 10 på kapslingens ovansida

Tekniska data

  • Kontakter placerade med 19 mm delning
  • Kontaktdiameter: 4 mm
  • Resistanstolerans: +/- 20 %
  • Belastbarhet: 0,5 W
  • Kapslingens mått: 38 x 57 x 35 mm (B x D x H)

Enskilda typer

Värde Utförande Typ
100 Ω 9108.1-1
220 Ω 9108.1-2
470 Ω 9108.1-3
1,0 kΩ 9108.2-1
4,7 kΩ 9108.2-2
10 kΩ 9108.2-3
22 kΩ 9108.2-4
47 kΩ 9108.2-5
100 kΩ 9108.2-6
500 kΩ 9108.2-7
1,0 MΩ 9108.3-1
100 kΩ logaritmisk, 0,25 W 9108.4-1
Tillbaka till översikten Katalogsida 4 (PDF på tyska)

Typnummer så som de anges i komponentöversikterna och laborationerna i hps handböcker. Detaljsidan för varje typ visar de laborationer där typen används. Uppdaterad 2026-09-06

Typ Beskrivning Laborationer Handböcker
9108.2-1 1 kΩ (0,4 W) 60 V 0101 V 0103 V 0104 V 0105
9108.2-3 10 kΩ 17 V 0103 V 0104

Uppgifterna är hämtade från innehållsförteckningarna i hps laborationshandböcker (titlar, nummer och sidor). Alla handböcker är på tyska; titlarna är översatta, och den ursprungliga tyska titeln visas när du håller muspekaren över dem. Alla handböcker och laborationer

V 0101 Likströmsteknik Handbok · 92 sidor 3 laborationer

Nämnd i 3 laborationer I handboken som 9108.2-1 Visa innehållsförteckningen

  1. 4.6 Fotoresistor (LDR) 1 × s. 23
  2. 4.10 Obelastad spänningsdelare 1 × s. 31
  3. 4.11 Belastad spänningsdelare 1 × s. 33
V 0103 Halvledarkomponenter Handbok · 168 sidor 17 laborationer

Nämnd i 17 laborationer I handboken som 9108.2-1, 9108.2-3 Visa innehållsförteckningen

  1. 2.2 Likspänningsbegränsning med zenerdioder 1 × s. 13
  2. 2.4 Växelspänningsbegränsning och överspänningsskydd med zenerdioder 1 × s. 21
  3. 4.1 Kontroll av skiktföljd och likriktarbeteende hos bipolära transistorer 1 × s. 31
  4. 4.2 Strömfördelning i transistorn och basströmmens styrverkan 2 × s. 35
  5. 4.3 Transistorns karakteristikor 4 × s. 39
  6. 4.4 Arbetsresistorns inverkan på transistoregenskaperna 1 × s. 44
  7. 5.1 Kontroll av skiktföljd och likriktarbeteende hos FET 2 × s. 49
  8. 5.2 Framspänningskarakteristik för gatens PN-övergångar hos FET 1 × s. 51
  9. 5.3 Gatens styrverkan hos N-kanal-FET 1 × s. 53
  10. 5.4 Utgångskarakteristikor för FET 2 × s. 56
  11. 6.1 Gatens styrverkan hos MOSFET av anrikningstyp 1 × s. 63
  12. 6.2 Utgångskarakteristikor för MOSFET av anrikningstyp 2 × s. 67
  13. 7.2 Omkopplingskarakteristikor för unijunctiontransistorn 1 × s. 75
  14. 7.3 Styrkarakteristikor för unijunctiontransistorn 1 × s. 78
  15. 8.1 Tyristordiod (DIAC) 1 × s. 81
  16. 8.2 Tyristortriod (tyristor) 3 × s. 84
  17. 8.3 Dubbelriktad tyristor (TRIAC) 2 × s. 89
V 0104 Grundläggande elektronikkretsar Handbok · 243 sidor 27 laborationer

Nämnd i 27 laborationer I handboken som 9108.2-1, 9108.2-3 Visa innehållsförteckningen

  1. 1.1 Grundkopplingar för förstärkare med bipolära transistorer 2 × s. 1
  2. 1.2 Grundkopplingar för förstärkare med fälteffekttransistorer (FET) 1 × s. 6
  3. 1.3.1 Tvåstegs växelspänningsförstärkare 1 × s. 11
  4. 1.3.2 Darlingtonförstärkare 2 × s. 15
  5. 1.3.3 Emitterkopplad förstärkare 1 × s. 18
  6. 1.3.4 Fasvändarsteg 2 × s. 21
  7. 1.3.5 Differentialförstärkare 2 × s. 25
  8. 1.3.6 Tvåstegs likspänningsförstärkare med komplementära transistorer 2 × s. 29
  9. 1.4 Mottaktsslutsteg 1 × s. 33
  10. 1.5.1 Motkoppling 3 × s. 37
  11. 1.5.2 Medkoppling 1 × s. 43
  12. 2.1.1 Tröskelvärdeskopplare (Schmitt-trigger) 2 × s. 48
  13. 2.3.1 Sinusgenerator med RC-länk 1 × s. 61
  14. 2.3.2 Sinusgenerator med LC-länk 1 × s. 63
  15. 3.1 Amplitudmodulator och -demodulator 2 × s. 65
  16. 3.2 Frekvensmodulator 1 × s. 70
  17. 4.2.1 Spänningsregulator (linjär) 1 × s. 87
  18. 4.2.2 Strömregulator 1 × s. 89
  19. 4.2.3 Switchad spänningsregulator 1 × s. 92
  20. 5.1.1 Fasvinkelstyrning med likriktarverkan 1 × s. 99
  21. 5.1.2 Fasvinkelstyrning utan likriktarverkan 1 × s. 104
  22. 5.2 Fasvinkelstyrning med TRIAC 1 × s. 108
  23. 5.3 Helvågsstyrning med nollgenomgångsbrytare 2 × s. 111
  24. 7.1 Operationsförstärkare som inverterande förstärkare 1 × s. 133
  25. 7.2 Operationsförstärkare som icke-inverterande förstärkare 1 × s. 137
  26. 7.3 Operationsförstärkare som summator 1 × s. 140
  27. 7.4 Operationsförstärkare som differentialförstärkare 1 × s. 145
V 0105 Grundläggande laborationer i elteknik–elektronik Handbok · 274 sidor 21 laborationer

Nämnd i 21 laborationer I handboken som 9108.2-1 Visa innehållsförteckningen

  1. 4.5 Fotoresistor (LDR) 1 × s. 21
  2. 4.9 Obelastad spänningsdelare 1 × s. 30
  3. 4.10 Belastad spänningsdelare 1 × s. 31
  4. 17.5 Likspänningsbegränsning med zenerdioder 1 × s. 171
  5. 18.1 Kontroll av skiktföljd och likriktarbeteende hos bipolära transistorer 1 × s. 183
  6. 18.2 Strömfördelning i transistorn och basströmmens styrverkan 2 × s. 187
  7. 18.3 Transistorns karakteristikor 4 × s. 191
  8. 18.4 Arbetsresistorns inverkan på transistoregenskaperna 1 × s. 196
  9. 18.5 Grundkopplingar för förstärkare med bipolära transistorer 2 × s. 201
  10. 18.6 Strömregulator med transistor 1 × s. 206
  11. 18.7 Fasvändarsteg med transistor 1 × s. 209
  12. 18.8 Sinusgenerator med RC-länk 1 × s. 211
  13. 19.1 Tyristortriod (tyristor) 3 × s. 213
  14. 20.1 Operationsförstärkare som inverterande förstärkare 1 × s. 221
  15. 20.2 Operationsförstärkare som icke-inverterande förstärkare 1 × s. 225
  16. 20.3 Operationsförstärkare som summator 1 × s. 228
  17. 20.4 Operationsförstärkare som differentialförstärkare 1 × s. 233
  18. 21.1 Resistansmätning med Wheatstonebrygga 1 × s. 241
  19. 21.5 Maxwellbrygga 1 × s. 251
  20. 21.6 Maxwell-Wien-brygga 1 × s. 253
  21. 21.7 Kondensatormätbrygga 1 × s. 255