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Potentiomètres

Type 9108 ...

Potentiomètres

Potentiomètres enfichables de 100 Ω à 1 MΩ avec bouton rotatif et échelle, puissance admissible 0,5 W.

Description

enfichables, en boîtier en plastique transparent incassable, avec trois fiches à lamelles dorées, bouton rotatif avec graduation 0 ... 10 sur la face supérieure du boîtier

Caractéristiques techniques

  • Disposition des fiches au pas de 19 mm
  • Diamètre des fiches : 4 mm
  • Tolérance de résistance : +/- 20 %
  • Puissance admissible : 0,5 W
  • Dimensions du boîtier : 38 x 57 x 35 mm (l x P x H)

Types individuels

Valeur Version Type
100 Ω 9108.1-1
220 Ω 9108.1-2
470 Ω 9108.1-3
1,0 kΩ 9108.2-1
4,7 kΩ 9108.2-2
10 kΩ 9108.2-3
22 kΩ 9108.2-4
47 kΩ 9108.2-5
100 kΩ 9108.2-6
500 kΩ 9108.2-7
1,0 MΩ 9108.3-1
100 kΩ logarithmique, 0,25 W 9108.4-1
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Numéros de type tels qu’ils figurent dans les listes de composants et les expériences des manuels hps. La page détaillée de chaque type indique les expériences dans lesquelles il est utilisé. Mise à jour : 2026-09-06

Type Description Expériences Manuels
9108.2-1 1 kΩ (0,4 W) 60 V 0101 V 0103 V 0104 V 0105
9108.2-3 10 kΩ 17 V 0103 V 0104

Ces informations proviennent des sommaires des manuels d’expériences hps (titres, numéros et pages). Tous les manuels sont en allemand ; les titres sont traduits, le titre original allemand s’affiche au survol. Tous les manuels et expériences

V 0101 Courant continu Manuel · 92 pages 3 expériences

Cité dans 3 expériences Désigné dans le manuel par 9108.2-1 Voir le sommaire

  1. 4.6 Photorésistance (LDR) 1 × p. 23
  2. 4.10 Diviseur de tension à vide 1 × p. 31
  3. 4.11 Diviseur de tension en charge 1 × p. 33
V 0103 Composants à semi-conducteurs Manuel · 168 pages 17 expériences

Cité dans 17 expériences Désigné dans le manuel par 9108.2-1, 9108.2-3 Voir le sommaire

  1. 2.2 Limitation de tension continue par diodes Zener 1 × p. 13
  2. 2.4 Limitation de tension alternative et protection contre les surtensions par diodes Zener 1 × p. 21
  3. 4.1 Contrôle de la structure des couches et du comportement redresseur des transistors bipolaires 1 × p. 31
  4. 4.2 Répartition des courants dans le transistor et effet de commande du courant de base 2 × p. 35
  5. 4.3 Les caractéristiques du transistor 4 × p. 39
  6. 4.4 Influence de la résistance de charge sur les propriétés du transistor 1 × p. 44
  7. 5.1 Contrôle de la structure des couches et du comportement redresseur des FET 2 × p. 49
  8. 5.2 Caractéristique directe des jonctions PN de la grille des FET 1 × p. 51
  9. 5.3 Effet de commande de la grille du FET à canal N 1 × p. 53
  10. 5.4 Caractéristiques de sortie du FET 2 × p. 56
  11. 6.1 Effet de commande de la grille du MOS-FET à enrichissement 1 × p. 63
  12. 6.2 Caractéristiques de sortie du MOS-FET à enrichissement 2 × p. 67
  13. 7.2 Caractéristiques de commutation du transistor unijonction 1 × p. 75
  14. 7.3 Caractéristiques de commande du transistor unijonction 1 × p. 78
  15. 8.1 Diode bidirectionnelle de déclenchement (DIAC) 1 × p. 81
  16. 8.2 Triode thyristor (thyristor) 3 × p. 84
  17. 8.3 Thyristor bidirectionnel (TRIAC) 2 × p. 89
V 0104 Montages de base de l’électronique Manuel · 243 pages 27 expériences

Cité dans 27 expériences Désigné dans le manuel par 9108.2-1, 9108.2-3 Voir le sommaire

  1. 1.1 Montages amplificateurs de base à transistors bipolaires 2 × p. 1
  2. 1.2 Montages amplificateurs de base à transistors à effet de champ (FET) 1 × p. 6
  3. 1.3.1 Amplificateur de tension alternative à deux étages 1 × p. 11
  4. 1.3.2 Amplificateur Darlington 2 × p. 15
  5. 1.3.3 Amplificateur à couplage par l’émetteur 1 × p. 18
  6. 1.3.4 Étages déphaseurs 2 × p. 21
  7. 1.3.5 Amplificateur différentiel 2 × p. 25
  8. 1.3.6 Amplificateur de tension continue à deux étages à transistors complémentaires 2 × p. 29
  9. 1.4 Amplificateur de sortie push-pull 1 × p. 33
  10. 1.5.1 Contre-réaction 3 × p. 37
  11. 1.5.2 Réaction positive 1 × p. 43
  12. 2.1.1 Détecteur de seuil (trigger de Schmitt) 2 × p. 48
  13. 2.3.1 Générateur sinusoïdal à circuit RC 1 × p. 61
  14. 2.3.2 Générateur sinusoïdal à circuit LC 1 × p. 63
  15. 3.1 Modulateur et démodulateur d’amplitude 2 × p. 65
  16. 3.2 Modulateur de fréquence 1 × p. 70
  17. 4.2.1 Régulateur de tension (linéaire) 1 × p. 87
  18. 4.2.2 Régulateur de courant 1 × p. 89
  19. 4.2.3 Régulateur de tension à découpage 1 × p. 92
  20. 5.1.1 Commande par angle de phase avec effet redresseur 1 × p. 99
  21. 5.1.2 Commande par angle de phase sans effet redresseur 1 × p. 104
  22. 5.2 Commande par angle de phase avec TRIAC 1 × p. 108
  23. 5.3 Commande par trains d’ondes entières avec interrupteur au zéro de tension 2 × p. 111
  24. 7.1 Amplificateur opérationnel en amplificateur inverseur 1 × p. 133
  25. 7.2 Amplificateur opérationnel en amplificateur non inverseur 1 × p. 137
  26. 7.3 Amplificateur opérationnel en sommateur 1 × p. 140
  27. 7.4 Amplificateur opérationnel en amplificateur différentiel 1 × p. 145
V 0105 Expériences de base en électrotechnique et électronique Manuel · 274 pages 21 expériences

Cité dans 21 expériences Désigné dans le manuel par 9108.2-1 Voir le sommaire

  1. 4.5 Photorésistance (LDR) 1 × p. 21
  2. 4.9 Diviseur de tension à vide 1 × p. 30
  3. 4.10 Diviseur de tension en charge 1 × p. 31
  4. 17.5 Limitation de tension continue par diodes Zener 1 × p. 171
  5. 18.1 Contrôle de la structure des couches et du comportement redresseur des transistors bipolaires 1 × p. 183
  6. 18.2 Répartition des courants dans le transistor et effet de commande du courant de base 2 × p. 187
  7. 18.3 Les caractéristiques du transistor 4 × p. 191
  8. 18.4 Influence de la résistance de charge sur les propriétés du transistor 1 × p. 196
  9. 18.5 Montages amplificateurs de base à transistors bipolaires 2 × p. 201
  10. 18.6 Régulateur de courant à transistor 1 × p. 206
  11. 18.7 Étage déphaseur à transistor 1 × p. 209
  12. 18.8 Générateur sinusoïdal à circuit RC 1 × p. 211
  13. 19.1 Triode thyristor (thyristor) 3 × p. 213
  14. 20.1 Amplificateur opérationnel en amplificateur inverseur 1 × p. 221
  15. 20.2 Amplificateur opérationnel en amplificateur non inverseur 1 × p. 225
  16. 20.3 Amplificateur opérationnel en sommateur 1 × p. 228
  17. 20.4 Amplificateur opérationnel en amplificateur différentiel 1 × p. 233
  18. 21.1 Mesure de résistance avec le pont de Wheatstone 1 × p. 241
  19. 21.5 Pont de Maxwell 1 × p. 251
  20. 21.6 Pont de Maxwell-Wien 1 × p. 253
  21. 21.7 Pont de mesure de capacité 1 × p. 255