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Potentiomètres Famille 9108

Type 9108.2-1

1 kΩ (0,4 W)

Composant enfichable / accessoire · Type individuel de la famille 9108 Potentiomètres

Rattachement
Sous-type selon le catalogue d’accessoires
Expériences
60 dans 4 manuels
Quantité totale
85 sur l’ensemble des expériences, selon la liste des composants
Manuels
V 0101 V 0103 V 0104 V 0105
Mise à jour
2026-09-06

Autres graphies dans le manuel : Potentiometer 1 kΩ (0,4 W)

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Expériences dans lesquelles le type individuel 9108.2-1 est utilisé selon la liste des composants ou le texte de l’expérience (titres, numéros et pages tirés des sommaires ; manuels en allemand). Tous les manuels et expériences

V 0101 Courant continu Manuel · 92 pages 3 expériences

Cité dans 3 expériences Voir le sommaire

  1. 4.6 Photorésistance (LDR) 1 × p. 23
  2. 4.10 Diviseur de tension à vide 1 × p. 31
  3. 4.11 Diviseur de tension en charge 1 × p. 33
V 0103 Composants à semi-conducteurs Manuel · 168 pages 17 expériences

Cité dans 17 expériences Voir le sommaire

  1. 2.2 Limitation de tension continue par diodes Zener 1 × p. 13
  2. 2.4 Limitation de tension alternative et protection contre les surtensions par diodes Zener 1 × p. 21
  3. 4.1 Contrôle de la structure des couches et du comportement redresseur des transistors bipolaires 1 × p. 31
  4. 4.2 Répartition des courants dans le transistor et effet de commande du courant de base 2 × p. 35
  5. 4.3 Les caractéristiques du transistor 4 × p. 39
  6. 4.4 Influence de la résistance de charge sur les propriétés du transistor 1 × p. 44
  7. 5.1 Contrôle de la structure des couches et du comportement redresseur des FET 2 × p. 49
  8. 5.2 Caractéristique directe des jonctions PN de la grille des FET 1 × p. 51
  9. 5.3 Effet de commande de la grille du FET à canal N 1 × p. 53
  10. 5.4 Caractéristiques de sortie du FET 2 × p. 56
  11. 6.1 Effet de commande de la grille du MOS-FET à enrichissement 1 × p. 63
  12. 6.2 Caractéristiques de sortie du MOS-FET à enrichissement 2 × p. 67
  13. 7.2 Caractéristiques de commutation du transistor unijonction 1 × p. 75
  14. 7.3 Caractéristiques de commande du transistor unijonction 1 × p. 78
  15. 8.1 Diode bidirectionnelle de déclenchement (DIAC) 1 × p. 81
  16. 8.2 Triode thyristor (thyristor) 3 × p. 84
  17. 8.3 Thyristor bidirectionnel (TRIAC) 2 × p. 89
V 0104 Montages de base de l’électronique Manuel · 243 pages 19 expériences

Cité dans 19 expériences Voir le sommaire

  1. 1.1 Montages amplificateurs de base à transistors bipolaires 2 × p. 1
  2. 1.2 Montages amplificateurs de base à transistors à effet de champ (FET) 1 × p. 6
  3. 1.3.1 Amplificateur de tension alternative à deux étages 1 × p. 11
  4. 1.3.2 Amplificateur Darlington 2 × p. 15
  5. 1.3.3 Amplificateur à couplage par l’émetteur 1 × p. 18
  6. 1.3.4 Étages déphaseurs 2 × p. 21
  7. 1.3.5 Amplificateur différentiel 2 × p. 25
  8. 1.3.6 Amplificateur de tension continue à deux étages à transistors complémentaires 2 × p. 29
  9. 1.4 Amplificateur de sortie push-pull 1 × p. 33
  10. 1.5.1 Contre-réaction 3 × p. 37
  11. 1.5.2 Réaction positive 1 × p. 43
  12. 2.1.1 Détecteur de seuil (trigger de Schmitt) 2 × p. 48
  13. 2.3.1 Générateur sinusoïdal à circuit RC 1 × p. 61
  14. 2.3.2 Générateur sinusoïdal à circuit LC 1 × p. 63
  15. 4.2.2 Régulateur de courant 1 × p. 89
  16. 5.1.1 Commande par angle de phase avec effet redresseur 1 × p. 99
  17. 5.1.2 Commande par angle de phase sans effet redresseur 1 × p. 104
  18. 7.3 Amplificateur opérationnel en sommateur 1 × p. 140
  19. 7.4 Amplificateur opérationnel en amplificateur différentiel 1 × p. 145
V 0105 Expériences de base en électrotechnique et électronique Manuel · 274 pages 21 expériences

Cité dans 21 expériences Voir le sommaire

  1. 4.5 Photorésistance (LDR) 1 × p. 21
  2. 4.9 Diviseur de tension à vide 1 × p. 30
  3. 4.10 Diviseur de tension en charge 1 × p. 31
  4. 17.5 Limitation de tension continue par diodes Zener 1 × p. 171
  5. 18.1 Contrôle de la structure des couches et du comportement redresseur des transistors bipolaires 1 × p. 183
  6. 18.2 Répartition des courants dans le transistor et effet de commande du courant de base 2 × p. 187
  7. 18.3 Les caractéristiques du transistor 4 × p. 191
  8. 18.4 Influence de la résistance de charge sur les propriétés du transistor 1 × p. 196
  9. 18.5 Montages amplificateurs de base à transistors bipolaires 2 × p. 201
  10. 18.6 Régulateur de courant à transistor 1 × p. 206
  11. 18.7 Étage déphaseur à transistor 1 × p. 209
  12. 18.8 Générateur sinusoïdal à circuit RC 1 × p. 211
  13. 19.1 Triode thyristor (thyristor) 3 × p. 213
  14. 20.1 Amplificateur opérationnel en amplificateur inverseur 1 × p. 221
  15. 20.2 Amplificateur opérationnel en amplificateur non inverseur 1 × p. 225
  16. 20.3 Amplificateur opérationnel en sommateur 1 × p. 228
  17. 20.4 Amplificateur opérationnel en amplificateur différentiel 1 × p. 233
  18. 21.1 Mesure de résistance avec le pont de Wheatstone 1 × p. 241
  19. 21.5 Pont de Maxwell 1 × p. 251
  20. 21.6 Pont de Maxwell-Wien 1 × p. 253
  21. 21.7 Pont de mesure de capacité 1 × p. 255

Le numéro de type et la description proviennent des listes de composants des manuels hps. Seuls les titres, numéros et pages des expériences sont affichés, sans aucun contenu des manuels.