0
Потенциометри Семейство 9108

Тип 9108.2-1

1 kΩ (0,4 W)

Щекерен компонент / принадлежност · Отделен тип от семейството 9108 Потенциометри

Съпоставяне
Подтип според каталога на принадлежностите
Опити
60 в 4 ръководства
Общо количество
85 във всички опити според списъка на компонентите
Ръководства
V 0101 V 0103 V 0104 V 0105
Актуално към
2026-09-06

Други изписвания в ръководството: Potentiometer 1 kΩ (0,4 W)

Към семейството 9108 Към прегледа на принадлежностите Всички ръководства и опити

Опити, в които отделният тип 9108.2-1 се използва според списъка на компонентите или текста на опита (заглавия, номера и страници от съдържанието; ръководства на немски език). Всички ръководства и опити

V 0101 Техника на постоянния ток Ръководство · 92 страници 3 опита

Споменат в 3 опита Вижте съдържанието

  1. 4.6 Фоторезистор (LDR) 1 × с. 23
  2. 4.10 Ненатоварен делител на напрежение 1 × с. 31
  3. 4.11 Натоварен делител на напрежение 1 × с. 33
V 0103 Полупроводникови елементи Ръководство · 168 страници 17 опита

Споменат в 17 опита Вижте съдържанието

  1. 2.2 Ограничаване на постоянно напрежение с ценерови диоди 1 × с. 13
  2. 2.4 Ограничаване на променливо напрежение и защита от пренапрежение с ценерови диоди 1 × с. 21
  3. 4.1 Проверка на структурата на слоевете и на изправителните свойства на биполярни транзистори 1 × с. 31
  4. 4.2 Разпределение на токовете в транзистора и управляващо действие на базовия ток 2 × с. 35
  5. 4.3 Характеристики на транзистора 4 × с. 39
  6. 4.4 Влияние на товарното съпротивление върху свойствата на транзистора 1 × с. 44
  7. 5.1 Проверка на структурата на слоевете и на изправителните свойства на полеви транзистори 2 × с. 49
  8. 5.2 Права характеристика на PN преходите на гейта при полеви транзистори 1 × с. 51
  9. 5.3 Управляващо действие на гейта при полеви транзистор с N-канал 1 × с. 53
  10. 5.4 Изходни характеристики на полевия транзистор 2 × с. 56
  11. 6.1 Управляващо действие на гейта при нормално запушен MOS-FET 1 × с. 63
  12. 6.2 Изходни характеристики на нормално запушен MOS-FET 2 × с. 67
  13. 7.2 Превключвателни характеристики на еднопреходния транзистор 1 × с. 75
  14. 7.3 Управляващи характеристики на еднопреходния транзистор 1 × с. 78
  15. 8.1 Диоден тиристор (DIAC) 1 × с. 81
  16. 8.2 Триоден тиристор (тиристор) 3 × с. 84
  17. 8.3 Двупосочен тиристор (TRIAC) 2 × с. 89
V 0104 Основни схеми в електрониката Ръководство · 243 страници 19 опита

Споменат в 19 опита Вижте съдържанието

  1. 1.1 Основни усилвателни схеми с биполярни транзистори 2 × с. 1
  2. 1.2 Основни усилвателни схеми с полеви транзистори (FET) 1 × с. 6
  3. 1.3.1 Двустъпален усилвател на променливо напрежение 1 × с. 11
  4. 1.3.2 Усилвател на Дарлингтън 2 × с. 15
  5. 1.3.3 Усилвател с емитерна връзка 1 × с. 18
  6. 1.3.4 Фазоинвертиращи стъпала 2 × с. 21
  7. 1.3.5 Диференциален усилвател 2 × с. 25
  8. 1.3.6 Двустъпален усилвател на постоянно напрежение с комплементарни транзистори 2 × с. 29
  9. 1.4 Двутактен краен усилвател 1 × с. 33
  10. 1.5.1 Отрицателна обратна връзка 3 × с. 37
  11. 1.5.2 Положителна обратна връзка 1 × с. 43
  12. 2.1.1 Прагов елемент (тригер на Шмит) 2 × с. 48
  13. 2.3.1 Генератор на синусоидално напрежение с RC звено 1 × с. 61
  14. 2.3.2 Генератор на синусоидално напрежение с LC звено 1 × с. 63
  15. 4.2.2 Регулатор на ток 1 × с. 89
  16. 5.1.1 Фазово управление с изправително действие 1 × с. 99
  17. 5.1.2 Фазово управление без изправително действие 1 × с. 104
  18. 7.3 Операционният усилвател като суматор 1 × с. 140
  19. 7.4 Операционният усилвател като диференциален усилвател 1 × с. 145
V 0105 Основни опити по електротехника – електроника Ръководство · 274 страници 21 опита

Споменат в 21 опита Вижте съдържанието

  1. 4.5 Фоторезистор (LDR) 1 × с. 21
  2. 4.9 Ненатоварен делител на напрежение 1 × с. 30
  3. 4.10 Натоварен делител на напрежение 1 × с. 31
  4. 17.5 Ограничаване на постоянно напрежение с ценерови диоди 1 × с. 171
  5. 18.1 Проверка на структурата на слоевете и на изправителните свойства на биполярни транзистори 1 × с. 183
  6. 18.2 Разпределение на токовете в транзистора и управляващо действие на базовия ток 2 × с. 187
  7. 18.3 Характеристики на транзистора 4 × с. 191
  8. 18.4 Влияние на товарното съпротивление върху свойствата на транзистора 1 × с. 196
  9. 18.5 Основни усилвателни схеми с биполярни транзистори 2 × с. 201
  10. 18.6 Регулатор на ток с транзистор 1 × с. 206
  11. 18.7 Фазоинвертиращо стъпало с транзистор 1 × с. 209
  12. 18.8 Генератор на синусоидално напрежение с RC звено 1 × с. 211
  13. 19.1 Триоден тиристор (тиристор) 3 × с. 213
  14. 20.1 Операционният усилвател като инвертиращ усилвател 1 × с. 221
  15. 20.2 Операционният усилвател като неинвертиращ усилвател 1 × с. 225
  16. 20.3 Операционният усилвател като суматор 1 × с. 228
  17. 20.4 Операционният усилвател като диференциален усилвател 1 × с. 233
  18. 21.1 Измерване на съпротивление с моста на Уитстон 1 × с. 241
  19. 21.5 Мост на Максуел 1 × с. 251
  20. 21.6 Мост на Максуел–Вин 1 × с. 253
  21. 21.7 Измервателен мост за кондензатори 1 × с. 255

Номерът на типа и описанието са взети от списъците на компонентите в ръководствата на hps. Показват се само заглавия, номера и страници на опитите, без съдържание от ръководствата.