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Potenziometer Family 9108

Type 9108.2-1

1 kΩ (0,4 W)

Plug-in component / accessory · Individual type of the family 9108 Potenziometer

Assignment
Subtype according to the accessories catalogue
Experiments
60 in 4 manuals
Total quantity
85 across all experiments according to the component overview
Manuals
V 0101 V 0103 V 0104 V 0105
As of
2026-09-06

Other spellings in the manual: Potentiometer 1 kΩ (0,4 W)

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Experiments in which type 9108.2-1 is used according to the component overview or the experiment text (titles, numbers and pages from the tables of contents; German manuals). All manuals and experiments

V 0101 Gleichstromtechnik Manual · 92 pages 3 experiments

Mentioned in 3 experiments View table of contents

  1. 4.6 Fotowiderstand (LDR) 1 × p. 23
  2. 4.10 Unbelasteter Spannungsteiler 1 × p. 31
  3. 4.11 Belasteter Spannungsteiler 1 × p. 33
V 0103 Halbleiterbauelemente Manual · 168 pages 17 experiments

Mentioned in 17 experiments View table of contents

  1. 2.2 Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 1 × p. 13
  2. 2.4 Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden 1 × p. 21
  3. 4.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × p. 31
  4. 4.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × p. 35
  5. 4.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × p. 39
  6. 4.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × p. 44
  7. 5.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs 2 × p. 49
  8. 5.2 Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs 1 × p. 51
  9. 5.3 Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET 1 × p. 53
  10. 5.4 Ausgangskennlinien des FETs 2 × p. 56
  11. 6.1 Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET 1 × p. 63
  12. 6.2 Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs 2 × p. 67
  13. 7.2 Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors 1 × p. 75
  14. 7.3 Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors 1 × p. 78
  15. 8.1 Thyristordiode (DIAC) 1 × p. 81
  16. 8.2 Thyristortriode (Thyristor) 3 × p. 84
  17. 8.3 Zweirichtungsthyristor (TRIAC) 2 × p. 89
V 0104 Grundschaltungen der Elektronik Manual · 243 pages 19 experiments

Mentioned in 19 experiments View table of contents

  1. 1.1 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 2 × p. 1
  2. 1.2 Verstärkergrundschaltungen mit Feldeffekt-Transistoren (FET) 1 × p. 6
  3. 1.3.1 Zweistufiger Wechselspannungsverstärker 1 × p. 11
  4. 1.3.2 Darlington-Verstärker 2 × p. 15
  5. 1.3.3 Emittergekoppelter Verstärker 1 × p. 18
  6. 1.3.4 Phasenumkehrstufen 2 × p. 21
  7. 1.3.5 Differenzverstärker 2 × p. 25
  8. 1.3.6 Zweistufiger Gleichspannungsverstärker mit Komplementärtransistoren 2 × p. 29
  9. 1.4 Gegentaktendverstärker 1 × p. 33
  10. 1.5.1 Gegenkopplung 3 × p. 37
  11. 1.5.2 Mitkopplung 1 × p. 43
  12. 2.1.1 Schwellwert-Schalter (Schmitt-Trigger) 2 × p. 48
  13. 2.3.1 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × p. 61
  14. 2.3.2 Sinusgenerator mit LC-Glied 1 × p. 63
  15. 4.2.2 Stromregler 1 × p. 89
  16. 5.1.1 Anschnittsteuerung mit Gleichrichterwirkung 1 × p. 99
  17. 5.1.2 Anschnittsteuerung ohne Gleichrichterwirkung 1 × p. 104
  18. 7.3 Operationsverstärker als Summierer 1 × p. 140
  19. 7.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 1 × p. 145
V 0105 Grundlagenversuche Elektrotechnik–Elektronik Manual · 274 pages 21 experiments

Mentioned in 21 experiments View table of contents

  1. 4.5 Fotowiderstand (LDR) 1 × p. 21
  2. 4.9 Unbelasteter Spannungsteiler 1 × p. 30
  3. 4.10 Belasteter Spannungsteiler 1 × p. 31
  4. 17.5 Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 1 × p. 171
  5. 18.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × p. 183
  6. 18.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × p. 187
  7. 18.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × p. 191
  8. 18.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × p. 196
  9. 18.5 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 2 × p. 201
  10. 18.6 Stromregler mit Transistor 1 × p. 206
  11. 18.7 Phasenumkehrstufe mit Transistor 1 × p. 209
  12. 18.8 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × p. 211
  13. 19.1 Thyristortriode (Thyristor) 3 × p. 213
  14. 20.1 Operationsverstärker als invertierender Verstärker 1 × p. 221
  15. 20.2 Operationsverstärker als nichtinvertierender Verstärker 1 × p. 225
  16. 20.3 Operationsverstärker als Summierer 1 × p. 228
  17. 20.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 1 × p. 233
  18. 21.1 Widerstandsmessung mit der Wheatstone-Brücke 1 × p. 241
  19. 21.5 Maxwell-Brücke 1 × p. 251
  20. 21.6 Maxwell-Wien-Brücke 1 × p. 253
  21. 21.7 Kondensator-Messbrücke 1 × p. 255

Type number and description are taken from the component overviews of the hps manuals. Only titles, numbers and pages of the experiments are shown, no manual contents.