1 kΩ (0,4 W)

In 3 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 4.6 Fotowiderstand (LDR) 1 × S. 23
2. 4.10 Unbelasteter Spannungsteiler 1 × S. 31
3. 4.11 Belasteter Spannungsteiler 1 × S. 33

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In 17 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 2.2 Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 1 × S. 13
2. 2.4 Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden 1 × S. 21
3. 4.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × S. 31
4. 4.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 35
5. 4.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × S. 39
6. 4.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × S. 44
7. 5.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs 2 × S. 49
8. 5.2 Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs 1 × S. 51
9. 5.3 Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET 1 × S. 53
10. 5.4 Ausgangskennlinien des FETs 2 × S. 56
11. 6.1 Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET 1 × S. 63
12. 6.2 Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs 2 × S. 67
13. 7.2 Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors 1 × S. 75
14. 7.3 Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors 1 × S. 78
15. 8.1 Thyristordiode (DIAC) 1 × S. 81
16. 8.2 Thyristortriode (Thyristor) 3 × S. 84
17. 8.3 Zweirichtungsthyristor (TRIAC) 2 × S. 89

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In 19 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 1.1 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 2 × S. 1
2. 1.2 Verstärkergrundschaltungen mit Feldeffekt-Transistoren (FET) 1 × S. 6
3. 1.3.1 Zweistufiger Wechselspannungsverstärker 1 × S. 11
4. 1.3.2 Darlington-Verstärker 2 × S. 15
5. 1.3.3 Emittergekoppelter Verstärker 1 × S. 18
6. 1.3.4 Phasenumkehrstufen 2 × S. 21
7. 1.3.5 Differenzverstärker 2 × S. 25
8. 1.3.6 Zweistufiger Gleichspannungsverstärker mit Komplementärtransistoren 2 × S. 29
9. 1.4 Gegentaktendverstärker 1 × S. 33
10. 1.5.1 Gegenkopplung 3 × S. 37
11. 1.5.2 Mitkopplung 1 × S. 43
12. 2.1.1 Schwellwert-Schalter (Schmitt-Trigger) 2 × S. 48
13. 2.3.1 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × S. 61
14. 2.3.2 Sinusgenerator mit LC-Glied 1 × S. 63
15. 4.2.2 Stromregler 1 × S. 89
16. 5.1.1 Anschnittsteuerung mit Gleichrichterwirkung 1 × S. 99
17. 5.1.2 Anschnittsteuerung ohne Gleichrichterwirkung 1 × S. 104
18. 7.3 Operationsverstärker als Summierer 1 × S. 140
19. 7.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 1 × S. 145

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In 21 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 4.5 Fotowiderstand (LDR) 1 × S. 21
2. 4.9 Unbelasteter Spannungsteiler 1 × S. 30
3. 4.10 Belasteter Spannungsteiler 1 × S. 31
4. 17.5 Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 1 × S. 171
5. 18.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × S. 183
6. 18.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 187
7. 18.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × S. 191
8. 18.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × S. 196
9. 18.5 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 2 × S. 201
10. 18.6 Stromregler mit Transistor 1 × S. 206
11. 18.7 Phasenumkehrstufe mit Transistor 1 × S. 209
12. 18.8 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × S. 211
13. 19.1 Thyristortriode (Thyristor) 3 × S. 213
14. 20.1 Operationsverstärker als invertierender Verstärker 1 × S. 221
15. 20.2 Operationsverstärker als nichtinvertierender Verstärker 1 × S. 225
16. 20.3 Operationsverstärker als Summierer 1 × S. 228
17. 20.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 1 × S. 233
18. 21.1 Widerstandsmessung mit der Wheatstone-Brücke 1 × S. 241
19. 21.5 Maxwell-Brücke 1 × S. 251
20. 21.6 Maxwell-Wien-Brücke 1 × S. 253
21. 21.7 Kondensator-Messbrücke 1 × S. 255

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