Halbleiterbauelemente

markiert Versuche. Bauelemente und Geräte je Versuch lassen sich aufklappen.

1. Hauptteil

2. 1 Gleichrichterdioden S. 1
3. 1.1 Versuch: Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden S. 1
   2 Bauelemente / Geräte

   • 1 × 9104 Schichtwiderstände
   • 1 × 9114 Dioden
4. 1.2 Versuch: Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe S. 3
   3 Bauelemente / Geräte

   • 1 × 9104 Schichtwiderstände
   • 1 × 9114 Dioden
   • 1 × 9121 Leuchtdioden
5. 1.3 Versuch: Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 S. 5
   4 Bauelemente / Geräte

   • 1 × 9104 Schichtwiderstände
   • 1 × 9111 Elektrolyt-Kondensatoren
   • 1 × 9112 Kondensatoren (großes Gehäuse)
   • 1 × 9114 Dioden
6. 1.4 Versuch: Zweipuls-Brückenschaltung B2 S. 8
   4 Bauelemente / Geräte

   • 1 × 9104 Schichtwiderstände
   • 1 × 9111 Elektrolyt-Kondensatoren
   • 1 × 9112 Kondensatoren (großes Gehäuse)
   • 4 × 9114 Dioden
7. 2 Z-Dioden S. 11
8. 2.1 Versuch: Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden S. 11
   2 Bauelemente / Geräte

   • 1 × 9104 Schichtwiderstände
   • 1 × 9114 Z-Dioden
9. 2.2 Versuch: Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden S. 13
   3 Bauelemente / Geräte

   • 1 × 9104 Schichtwiderstände
   • 1 × 9108 Potenziometer
   • 3 × 9114 Z-Dioden
10. 2.3 Versuch: Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden S. 19
    3 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 3 × 9114 Dioden
    • 1 × 9114 Z-Dioden
11. 2.4 Versuch: Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden S. 21
    3 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 1 × 9108 Potenziometer
    • 2 × 9114 Z-Dioden
12. 2.5 Versuch: Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden S. 25
    4 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 1 × 9111 Elektrolyt-Kondensatoren
    • 1 × 9114 Dioden
    • 1 × 9114 Z-Dioden
13. 3 Versuch: Leuchtdioden S. 27
    2 Bauelemente / Geräte

    • 2 × 9104 Schichtwiderstände
    • 2 × 9121 Leuchtdioden
14. 4 Bipolare Transistoren S. 31
15. 4.1 Versuch: Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren S. 31
    3 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 1 × 9108 Potenziometer
    • 1 × 9118 Transistoren
16. 4.2 Versuch: Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms S. 35
    3 Bauelemente / Geräte

    • 2 × 9104 Schichtwiderstände
    • 2 × 9108 Potenziometer
    • 2 × 9118 Transistoren
17. 4.3 Versuch: Die Kennlinien des Transistors S. 39
    3 Bauelemente / Geräte

    • 4 × 9104 Schichtwiderstände
    • 4 × 9108 Potenziometer
    • 4 × 9118 Transistoren
18. 4.4 Versuch: Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften S. 44
    4 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 1 × 9108 Potenziometer
    • 1 × 9110 Kondensatoren
    • 1 × 9118 Transistoren
19. 5 Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) S. 49
20. 5.1 Versuch: Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs S. 49
    3 Bauelemente / Geräte

    • 2 × 9104 Schichtwiderstände
    • 2 × 9108 Potenziometer
    • 1 × 9118 Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren
21. 5.2 Versuch: Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs S. 51
    3 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 1 × 9108 Potenziometer
    • 1 × 9118 Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren
22. 5.3 Versuch: Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET S. 53
    3 Bauelemente / Geräte

    • 2 × 9104 Schichtwiderstände
    • 1 × 9108 Potenziometer
    • 1 × 9118 Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren
23. 5.4 Versuch: Ausgangskennlinien des FETs S. 56
    3 Bauelemente / Geräte

    • 3 × 9104 Schichtwiderstände
    • 2 × 9108 Potenziometer
    • 2 × 9118 Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren
24. 6 MOS-FET (IG-FET) S. 63
25. 6.1 Versuch: Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET S. 63
    3 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 1 × 9108 Potenziometer
    • 1 × 9118.11 MOS-Feldeffekt-Transistor
26. 6.2 Versuch: Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs S. 67
    3 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 2 × 9108 Potenziometer
    • 2 × 9118.11 MOS-Feldeffekt-Transistor
27. 7 Unijunction-Transistor (UJT) S. 73
28. 7.1 Versuch: Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor S. 73
    2 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 1 × 9118.9 Unijunction-Transistor
29. 7.2 Versuch: Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors S. 75
    3 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 1 × 9108 Potenziometer
    • 1 × 9118.9 Unijunction-Transistor
30. 7.3 Versuch: Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors S. 78
    3 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 1 × 9108 Potenziometer
    • 1 × 9118.9 Unijunction-Transistor
31. 8 Thyristoren S. 81
32. 8.1 Versuch: Thyristordiode (DIAC) S. 81
    3 Bauelemente / Geräte

    • 1 × 9104 Schichtwiderstände
    • 1 × 9108 Potenziometer
    • 2 × 9114.4 Diac
33. 8.2 Versuch: Thyristortriode (Thyristor) S. 84
    6 Bauelemente / Geräte

    • 3 × 9104 Schichtwiderstände
    • 3 × 9108 Potenziometer
    • 1 × 9110 Kondensatoren
    • 3 × 9117.1 Thyristor
    • 3 × 9121 Lampen
    • 3 × 9125 Kippschalter (ein/aus, einpolig)
34. 8.3 Versuch: Zweirichtungsthyristor (TRIAC) S. 89
    4 Bauelemente / Geräte

    • 2 × 9104 Schichtwiderstände
    • 2 × 9108 Potenziometer
    • 2 × 9117.2 Triac
    • 2 × 9121 Lampen

35. Lösungsteil

36. Lösungen L 1 L 56

37. Anhang

38. Anhang A 1
39. Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
40. Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
41. Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5

42. Folien

43. Folie
44. ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

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