Полупроводникови елементи

обозначава опитите. Компонентите и уредите към всеки опит могат да се разгънат.

1. Основна част

2. 1 Токоизправителни диоди Gleichrichterdioden с. 1
3. 1.1 Опит: Действие на PN прехода при диодите Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden с. 1
   2 компонента / уреда

   • 1 × 9104 Слоести резистори
   • 1 × 9114 Диоди
4. 1.2 Опит: Снемане на характеристиките на диоди от различни полупроводникови материали Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe с. 3
   3 компонента / уреда

   • 1 × 9104 Слоести резистори
   • 1 × 9114 Диоди
   • 1 × 9121 Светодиоди
5. 1.3 Опит: Еднопулсна схема със средна точка M1 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 с. 5
   4 компонента / уреда

   • 1 × 9104 Слоести резистори
   • 1 × 9111 Електролитни кондензатори
   • 1 × 9112 Кондензатори (голям корпус)
   • 1 × 9114 Диоди
6. 1.4 Опит: Двупулсна мостова схема B2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 с. 8
   4 компонента / уреда

   • 1 × 9104 Слоести резистори
   • 1 × 9111 Електролитни кондензатори
   • 1 × 9112 Кондензатори (голям корпус)
   • 4 × 9114 Диоди
7. 2 Ценерови диоди Z-Dioden с. 11
8. 2.1 Опит: Права и обратна характеристика на ценерови диоди Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden с. 11
   2 компонента / уреда

   • 1 × 9104 Слоести резистори
   • 1 × 9114 Ценерови диоди
9. 2.2 Опит: Ограничаване на постоянно напрежение с ценерови диоди Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden с. 13
   3 компонента / уреда

   • 1 × 9104 Слоести резистори
   • 1 × 9108 Потенциометри
   • 3 × 9114 Ценерови диоди
10. 2.3 Опит: Последователно и насрещно свързване на ценерови диоди Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden с. 19
    3 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 3 × 9114 Диоди
    • 1 × 9114 Ценерови диоди
11. 2.4 Опит: Ограничаване на променливо напрежение и защита от пренапрежение с ценерови диоди Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden с. 21
    3 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 1 × 9108 Потенциометри
    • 2 × 9114 Ценерови диоди
12. 2.5 Опит: Стабилизиране на напрежение с ценерови диоди Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden с. 25
    4 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 1 × 9111 Електролитни кондензатори
    • 1 × 9114 Диоди
    • 1 × 9114 Ценерови диоди
13. 3 Опит: Светодиоди Leuchtdioden с. 27
    2 компонента / уреда

    • 2 × 9104 Слоести резистори
    • 2 × 9121 Светодиоди
14. 4 Биполярни транзистори Bipolare Transistoren с. 31
15. 4.1 Опит: Проверка на структурата на слоевете и на изправителните свойства на биполярни транзистори Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren с. 31
    3 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 1 × 9108 Потенциометри
    • 1 × 9118 Транзистори
16. 4.2 Опит: Разпределение на токовете в транзистора и управляващо действие на базовия ток Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms с. 35
    3 компонента / уреда

    • 2 × 9104 Слоести резистори
    • 2 × 9108 Потенциометри
    • 2 × 9118 Транзистори
17. 4.3 Опит: Характеристики на транзистора Die Kennlinien des Transistors с. 39
    3 компонента / уреда

    • 4 × 9104 Слоести резистори
    • 4 × 9108 Потенциометри
    • 4 × 9118 Транзистори
18. 4.4 Опит: Влияние на товарното съпротивление върху свойствата на транзистора Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften с. 44
    4 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 1 × 9108 Потенциометри
    • 1 × 9110 Кондензатори
    • 1 × 9118 Транзистори
19. 5 Униполярни транзистори (полеви транзистори с управляващ PN преход) Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) с. 49
20. 5.1 Опит: Проверка на структурата на слоевете и на изправителните свойства на полеви транзистори Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs с. 49
    3 компонента / уреда

    • 2 × 9104 Слоести резистори
    • 2 × 9108 Потенциометри
    • 1 × 9118 Полеви транзистори с p-n преход (JFET)
21. 5.2 Опит: Права характеристика на PN преходите на гейта при полеви транзистори Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs с. 51
    3 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 1 × 9108 Потенциометри
    • 1 × 9118 Полеви транзистори с p-n преход (JFET)
22. 5.3 Опит: Управляващо действие на гейта при полеви транзистор с N-канал Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET с. 53
    3 компонента / уреда

    • 2 × 9104 Слоести резистори
    • 1 × 9108 Потенциометри
    • 1 × 9118 Полеви транзистори с p-n преход (JFET)
23. 5.4 Опит: Изходни характеристики на полевия транзистор Ausgangskennlinien des FETs с. 56
    3 компонента / уреда

    • 3 × 9104 Слоести резистори
    • 2 × 9108 Потенциометри
    • 2 × 9118 Полеви транзистори с p-n преход (JFET)
24. 6 MOS-FET (IG-FET) с. 63
25. 6.1 Опит: Управляващо действие на гейта при нормално запушен MOS-FET Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET с. 63
    3 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 1 × 9108 Потенциометри
    • 1 × 9118.11 MOS полеви транзистор
26. 6.2 Опит: Изходни характеристики на нормално запушен MOS-FET Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs с. 67
    3 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 2 × 9108 Потенциометри
    • 2 × 9118.11 MOS полеви транзистор
27. 7 Еднопреходен транзистор (UJT) Unijunction-Transistor (UJT) с. 73
28. 7.1 Опит: Проверка на междубазовия участък на еднопреходния транзистор Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor с. 73
    2 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 1 × 9118.9 Еднопреходен транзистор (UJT)
29. 7.2 Опит: Превключвателни характеристики на еднопреходния транзистор Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors с. 75
    3 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 1 × 9108 Потенциометри
    • 1 × 9118.9 Еднопреходен транзистор (UJT)
30. 7.3 Опит: Управляващи характеристики на еднопреходния транзистор Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors с. 78
    3 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 1 × 9108 Потенциометри
    • 1 × 9118.9 Еднопреходен транзистор (UJT)
31. 8 Тиристори Thyristoren с. 81
32. 8.1 Опит: Диоден тиристор (DIAC) Thyristordiode (DIAC) с. 81
    3 компонента / уреда

    • 1 × 9104 Слоести резистори
    • 1 × 9108 Потенциометри
    • 2 × 9114.4 Диак
33. 8.2 Опит: Триоден тиристор (тиристор) Thyristortriode (Thyristor) с. 84
    6 компонента / уреда

    • 3 × 9104 Слоести резистори
    • 3 × 9108 Потенциометри
    • 1 × 9110 Кондензатори
    • 3 × 9117.1 Тиристор
    • 3 × 9121 Лампи
    • 3 × 9125 Лостов ключ (вкл./изкл., еднополюсен)
34. 8.3 Опит: Двупосочен тиристор (TRIAC) Zweirichtungsthyristor (TRIAC) с. 89
    4 компонента / уреда

    • 2 × 9104 Слоести резистори
    • 2 × 9108 Потенциометри
    • 2 × 9117.2 Триак
    • 2 × 9121 Лампи

35. Част с решения

36. Решения L 1 Lösungen L 1 L 56

37. Приложение

38. Приложение Anhang A 1
39. Използвани съкращения и означения на величините Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
40. Списък на щекерните компоненти Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
41. Необходими захранвания и измервателни уреди Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5

42. Фолиа

43. Фолио Folie
44. ELECTRONIC BOARD (тип 1018) ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

Няма записи, които да отговарят на филтъра.