Manualul V 0103 · Electrotehnică

Dispozitive semiconductoare

Halbleiterbauelemente

  • 26 de experimente
  • Manual · 168 de pagini
  • Ediția 4

Manual în limba germană. Titlurile sunt traduse; sub fiecare dintre ele este indicat titlul original în germană, așa cum este tipărit în manual.

marchează experimentele. Componentele și echipamentele fiecărui experiment se pot afișa prin extindere.

  1. Partea principală

  2. 1 Diode redresoare Gleichrichterdioden p. 1
  3. 1.1 Experiment: Efectul joncțiunii PN la diode Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden p. 1
    2 componente / echipamente
  4. 1.2 Experiment: Reprezentarea caracteristicilor diodelor din diferite materiale semiconductoare Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe p. 3
    3 componente / echipamente
  5. 1.3 Experiment: Schema cu punct median cu un puls M1 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 p. 5
    4 componente / echipamente
  6. 1.4 Experiment: Schema în punte cu două pulsuri B2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 p. 8
    4 componente / echipamente
  7. 2 Diode Zener Z-Dioden p. 11
  8. 2.1 Experiment: Caracteristica directă și inversă a diodelor Zener Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden p. 11
    2 componente / echipamente
  9. 2.2 Experiment: Limitarea tensiunii continue cu diode Zener Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden p. 13
    3 componente / echipamente
  10. 2.3 Experiment: Conexiunea în serie și în opoziție a diodelor Zener Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden p. 19
    3 componente / echipamente
  11. 2.4 Experiment: Limitarea tensiunii alternative și protecția la supratensiune cu diode Zener Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden p. 21
    3 componente / echipamente
  12. 2.5 Experiment: Stabilizarea tensiunii cu diode Zener Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden p. 25
    4 componente / echipamente
  13. 3 Experiment: Diode luminiscente (LED) Leuchtdioden p. 27
    2 componente / echipamente
  14. 4 Tranzistoare bipolare Bipolare Transistoren p. 31
  15. 4.1 Experiment: Verificarea structurii straturilor și a comportării de redresare a tranzistoarelor bipolare Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren p. 31
    3 componente / echipamente
  16. 4.2 Experiment: Distribuția curenților în tranzistor și efectul de comandă al curentului de bază Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms p. 35
    3 componente / echipamente
  17. 4.3 Experiment: Caracteristicile tranzistorului Die Kennlinien des Transistors p. 39
    3 componente / echipamente
  18. 4.4 Experiment: Influența rezistenței de sarcină asupra proprietăților tranzistorului Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften p. 44
    4 componente / echipamente
  19. 5 Tranzistoare unipolare (tranzistoare cu efect de câmp cu joncțiune) Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) p. 49
  20. 5.1 Experiment: Verificarea structurii straturilor și a comportării de redresare a FET-urilor Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs p. 49
    3 componente / echipamente
  21. 5.2 Experiment: Caracteristica directă a joncțiunilor PN ale grilei la FET-uri Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs p. 51
    3 componente / echipamente
  22. 5.3 Experiment: Efectul de comandă al grilei la FET-ul cu canal N Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET p. 53
    3 componente / echipamente
  23. 5.4 Experiment: Caracteristicile de ieșire ale FET-ului Ausgangskennlinien des FETs p. 56
    3 componente / echipamente
  24. 6 MOS-FET (IG-FET) p. 63
  25. 6.1 Experiment: Efectul de comandă al grilei la MOS-FET-ul cu îmbogățire (normal blocat) Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET p. 63
    3 componente / echipamente
  26. 6.2 Experiment: Caracteristicile de ieșire ale MOS-FET-ului cu îmbogățire (normal blocat) Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs p. 67
    3 componente / echipamente
  27. 7 Tranzistor unijoncțiune (UJT) Unijunction-Transistor (UJT) p. 73
  28. 7.1 Experiment: Verificarea traseului interbază la tranzistorul unijoncțiune Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor p. 73
    2 componente / echipamente
  29. 7.2 Experiment: Caracteristicile de comutare ale tranzistorului unijoncțiune Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors p. 75
    3 componente / echipamente
  30. 7.3 Experiment: Caracteristicile de comandă ale tranzistorului unijoncțiune Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors p. 78
    3 componente / echipamente
  31. 8 Tiristoare Thyristoren p. 81
  32. 8.1 Experiment: Diodă tiristor (DIAC) Thyristordiode (DIAC) p. 81
    3 componente / echipamente
  33. 8.2 Experiment: Triodă tiristor (tiristor) Thyristortriode (Thyristor) p. 84
    6 componente / echipamente
  34. 8.3 Experiment: Tiristor bidirecțional (TRIAC) Zweirichtungsthyristor (TRIAC) p. 89
    4 componente / echipamente
  35. Partea cu soluții

  36. Soluții L 1 Lösungen L 1 L 56
  37. Anexă

  38. Anexă Anhang A 1
  39. Abrevieri și simboluri utilizate Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
  40. Lista componentelor enfichabile Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
  41. Surse de alimentare și aparate de măsură necesare Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5
  42. Folii transparente

  43. Folie transparentă Folie
  44. ELECTRONIC BOARD (Tip 1018) ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

Este afișat exclusiv cuprinsul (titluri, numere, pagini). Manualul complet se livrează împreună cu sistemul de instruire. Cantitățile provin din lista de componente a manualului.