Elementy półprzewodnikowe

oznacza ćwiczenia. Elementy i urządzenia używane w danym ćwiczeniu można rozwinąć.

1. Część główna

2. 1 Diody prostownicze Gleichrichterdioden s. 1
3. 1.1 Ćwiczenie: Działanie złącza PN w diodach Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden s. 1
   2 elementy / urządzenia

   • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
   • 1 × 9114 Diody
4. 1.2 Ćwiczenie: Charakterystyki diod z różnych materiałów półprzewodnikowych Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe s. 3
   3 elementy / urządzenia

   • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
   • 1 × 9114 Diody
   • 1 × 9121 Diody LED
5. 1.3 Ćwiczenie: Jednopulsowy układ z punktem środkowym M1 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 s. 5
   4 elementy / urządzenia

   • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
   • 1 × 9111 Kondensatory elektrolityczne
   • 1 × 9112 Kondensatory (duża obudowa)
   • 1 × 9114 Diody
6. 1.4 Ćwiczenie: Dwupulsowy układ mostkowy B2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 s. 8
   4 elementy / urządzenia

   • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
   • 1 × 9111 Kondensatory elektrolityczne
   • 1 × 9112 Kondensatory (duża obudowa)
   • 4 × 9114 Diody
7. 2 Diody Zenera Z-Dioden s. 11
8. 2.1 Ćwiczenie: Charakterystyka przewodzenia i zaporowa diod Zenera Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden s. 11
   2 elementy / urządzenia

   • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
   • 1 × 9114 Diody Zenera
9. 2.2 Ćwiczenie: Ograniczanie napięcia stałego diodami Zenera Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden s. 13
   3 elementy / urządzenia

   • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
   • 1 × 9108 Potencjometry
   • 3 × 9114 Diody Zenera
10. 2.3 Ćwiczenie: Połączenie szeregowe i przeciwsobne diod Zenera Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden s. 19
    3 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 3 × 9114 Diody
    • 1 × 9114 Diody Zenera
11. 2.4 Ćwiczenie: Ograniczanie napięcia przemiennego i ochrona przepięciowa diodami Zenera Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden s. 21
    3 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 1 × 9108 Potencjometry
    • 2 × 9114 Diody Zenera
12. 2.5 Ćwiczenie: Stabilizacja napięcia diodami Zenera Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden s. 25
    4 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 1 × 9111 Kondensatory elektrolityczne
    • 1 × 9114 Diody
    • 1 × 9114 Diody Zenera
13. 3 Ćwiczenie: Diody LED Leuchtdioden s. 27
    2 elementy / urządzenia

    • 2 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 2 × 9121 Diody LED
14. 4 Tranzystory bipolarne Bipolare Transistoren s. 31
15. 4.1 Ćwiczenie: Sprawdzanie struktury warstw i właściwości prostowniczych tranzystorów bipolarnych Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren s. 31
    3 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 1 × 9108 Potencjometry
    • 1 × 9118 Tranzystory
16. 4.2 Ćwiczenie: Rozpływ prądów w tranzystorze i sterujące działanie prądu bazy Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms s. 35
    3 elementy / urządzenia

    • 2 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 2 × 9108 Potencjometry
    • 2 × 9118 Tranzystory
17. 4.3 Ćwiczenie: Charakterystyki tranzystora Die Kennlinien des Transistors s. 39
    3 elementy / urządzenia

    • 4 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 4 × 9108 Potencjometry
    • 4 × 9118 Tranzystory
18. 4.4 Ćwiczenie: Wpływ rezystancji obciążenia na właściwości tranzystora Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften s. 44
    4 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 1 × 9108 Potencjometry
    • 1 × 9110 Kondensatory
    • 1 × 9118 Tranzystory
19. 5 Tranzystory unipolarne (tranzystory polowe złączowe) Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) s. 49
20. 5.1 Ćwiczenie: Sprawdzanie struktury warstw i właściwości prostowniczych tranzystorów FET Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs s. 49
    3 elementy / urządzenia

    • 2 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 2 × 9108 Potencjometry
    • 1 × 9118 Tranzystory polowe złączowe (JFET)
21. 5.2 Ćwiczenie: Charakterystyka przewodzenia złączy PN bramki tranzystorów FET Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs s. 51
    3 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 1 × 9108 Potencjometry
    • 1 × 9118 Tranzystory polowe złączowe (JFET)
22. 5.3 Ćwiczenie: Sterujące działanie bramki w tranzystorze FET z kanałem N Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET s. 53
    3 elementy / urządzenia

    • 2 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 1 × 9108 Potencjometry
    • 1 × 9118 Tranzystory polowe złączowe (JFET)
23. 5.4 Ćwiczenie: Charakterystyki wyjściowe tranzystora FET Ausgangskennlinien des FETs s. 56
    3 elementy / urządzenia

    • 3 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 2 × 9108 Potencjometry
    • 2 × 9118 Tranzystory polowe złączowe (JFET)
24. 6 MOSFET (IGFET) MOS-FET (IG-FET) s. 63
25. 6.1 Ćwiczenie: Sterujące działanie bramki w tranzystorze MOSFET normalnie wyłączonym Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET s. 63
    3 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 1 × 9108 Potencjometry
    • 1 × 9118.11 Tranzystor polowy MOS
26. 6.2 Ćwiczenie: Charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs s. 67
    3 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 2 × 9108 Potencjometry
    • 2 × 9118.11 Tranzystor polowy MOS
27. 7 Tranzystor jednozłączowy (UJT) Unijunction-Transistor (UJT) s. 73
28. 7.1 Ćwiczenie: Sprawdzanie obszaru międzybazowego tranzystora jednozłączowego Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor s. 73
    2 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 1 × 9118.9 Tranzystor jednozłączowy (UJT)
29. 7.2 Ćwiczenie: Charakterystyki przełączania tranzystora jednozłączowego Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors s. 75
    3 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 1 × 9108 Potencjometry
    • 1 × 9118.9 Tranzystor jednozłączowy (UJT)
30. 7.3 Ćwiczenie: Charakterystyki sterowania tranzystora jednozłączowego Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors s. 78
    3 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 1 × 9108 Potencjometry
    • 1 × 9118.9 Tranzystor jednozłączowy (UJT)
31. 8 Tyrystory Thyristoren s. 81
32. 8.1 Ćwiczenie: Dynistor symetryczny (DIAC) Thyristordiode (DIAC) s. 81
    3 elementy / urządzenia

    • 1 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 1 × 9108 Potencjometry
    • 2 × 9114.4 Diak
33. 8.2 Ćwiczenie: Tyrystor triodowy (tyrystor) Thyristortriode (Thyristor) s. 84
    6 elementów / urządzeń

    • 3 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 3 × 9108 Potencjometry
    • 1 × 9110 Kondensatory
    • 3 × 9117.1 Tyrystor
    • 3 × 9121 Lampki
    • 3 × 9125 Przełącznik dźwigienkowy (wł./wył., jednobiegun…
34. 8.3 Ćwiczenie: Tyrystor dwukierunkowy (TRIAC) Zweirichtungsthyristor (TRIAC) s. 89
    4 elementy / urządzenia

    • 2 × 9104 Rezystory warstwowe
    • 2 × 9108 Potencjometry
    • 2 × 9117.2 Triak
    • 2 × 9121 Lampki

35. Część z rozwiązaniami

36. Rozwiązania L 1 Lösungen L 1 L 56

37. Załącznik

38. Załącznik Anhang A 1
39. Zastosowane skróty i symbole wielkości Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
40. Zestawienie elementów wtykowych Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
41. Wymagane źródła zasilania i przyrządy pomiarowe Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5

42. Foliogramy

43. Foliogram Folie
44. ELECTRONIC BOARD (typ 1018) ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

Żaden wpis nie pasuje do filtra.