0
Tranzystory polowe złączowe (JFET)

Typ 9118 ...

Tranzystory polowe złączowe (JFET)

Wtykowe tranzystory polowe złączowe (z kanałem N i z kanałem P) w przezroczystej obudowie z tworzywa sztucznego.

Opis

wtykowe, w nietłukącej przezroczystej obudowie z tworzywa sztucznego, z trzema złoconymi wtykami lamelowymi

Symbol graficzny jest nadrukowany na biało na górnej stronie obudowy.

Tranzystor z kanałem N jest dostępny z wyprowadzeniem bramki z lewej lub z prawej strony.

Dane techniczne

  • Wtyki rozmieszczone w rastrze 19 mm
  • Średnica wtyków: 4 mm
  • Wymiary obudowy: 38 x 57 x 35 mm (szer. x gł. x wys.)

Typy elementów

Rodzaj Wyprowadzenie bramki +UDS UGS UDG IGF Ptot Typ
kanał N z lewej 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.8
kanał N z prawej 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.19
kanał P z lewej 20 V 20 V -20 V -10 mA 200 mW 9118.20

UDS = napięcie dren-źródło, UGS = napięcie bramka-źródło, UDG = napięcie dren-bramka, IGF = prąd bramki, Ptot = całkowita moc strat

Powrót do przeglądu Strona katalogu 12 (PDF, w języku niemieckim)

Numery typów w brzmieniu z zestawień elementów i ćwiczeń w podręcznikach hps. Strona szczegółowa każdego typu pokazuje ćwiczenia, w których jest on używany. Stan na 2026-09-06

Typ Opis Ćwiczenia Podręczniki
9118.8 Feldeffekt- 25 V / 10 mA · transistoren 25 V / 10 mA 5 V 0103 V 0104
9118.20 transistoren 20 V / 10 mA 1 V 0103

Dane pochodzą ze spisów treści podręczników ćwiczeń hps (tytuły, numery i strony). Wszystkie podręczniki są w języku niemieckim; tytuły są przetłumaczone, a oryginalny niemiecki tytuł pojawia się po najechaniu kursorem. Wszystkie podręczniki i ćwiczenia

V 0103 Elementy półprzewodnikowe Podręcznik · 168 s. 4 ćwiczenia

Występuje w 4 ćwiczeniach W podręczniku jako 9118.20, 9118.8 Zobacz spis treści

  1. 5.1 Sprawdzanie struktury warstw i właściwości prostowniczych tranzystorów FET 1 × s. 49
  2. 5.2 Charakterystyka przewodzenia złączy PN bramki tranzystorów FET 1 × s. 51
  3. 5.3 Sterujące działanie bramki w tranzystorze FET z kanałem N 1 × s. 53
  4. 5.4 Charakterystyki wyjściowe tranzystora FET 2 × s. 56
V 0104 Podstawowe układy elektroniczne Podręcznik · 243 s. 1 ćwiczenie

Występuje w 1 ćwiczeniu W podręczniku jako 9118.8 Zobacz spis treści

  1. 1.2 Podstawowe układy wzmacniaczy z tranzystorami polowymi (FET) 3 × s. 6