Spojni tranzistori s efektom polja (JFET)

Tip 9118 ...

Spojni tranzistori s efektom polja (JFET)

Utični spojni tranzistori s efektom polja (N-kanalni i P-kanalni) u prozirnom plastičnom kućištu.

Opis

utični, u prozirnom plastičnom kućištu otpornom na lom, s tri pozlaćena lamelna utikača

Grafički simbol otisnut je bijelom bojom na gornjoj strani kućišta.

N-kanalni tranzistor isporučuje se s priključkom gatea lijevo ili s priključkom gatea desno.

Tehnički podaci

  • Raspored utikača u rasteru od 19 mm
  • Promjer utikača: 4 mm
  • Dimenzije kućišta: 38 x 57 x 35 mm (Š x D x V)

Pojedinačni tipovi

Vrsta Priključak gatea +UDS UGS UDG IGF Ptot Tip
N-kanalni lijevo 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.8
N-kanalni desno 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.19
P-kanalni lijevo 20 V 20 V -20 V -10 mA 200 mW 9118.20

UDS = napon drain-source, UGS = napon gate-source, UDG = napon drain-gate, IGF = struja gatea, Ptot = ukupna disipacija snage

Brojevi tipova kako su navedeni u pregledima komponenti i vježbama hps priručnika. Stranica s detaljima za svaki tip prikazuje vježbe u kojima se taj tip koristi. Stanje: 2026-09-06

Tip Opis Vježbe Priručnici
9118.8 Feldeffekt- 25 V / 10 mA · transistoren 25 V / 10 mA 5 V 0103 V 0104
9118.20 transistoren 20 V / 10 mA 1 V 0103

Podaci su preuzeti iz sadržaja hps priručnika za vježbe (naslovi, brojevi i stranice). Svi su priručnici na njemačkom jeziku; naslovi su prevedeni, a izvorni njemački naslov prikazuje se kad pokazivač miša prijeđe preko njega. Svi priručnici i vježbe

V 0103 Poluvodičke komponente Priručnik · 168 str. 4 vježbe

Navedeno u 4 vježbe U priručniku kao 9118.20, 9118.8 Prikaži sadržaj

  1. 5.1 Provjera slojeva i ispravljačkog ponašanja FET-ova 1 × str. 49
  2. 5.2 Propusna karakteristika PN-spojeva gatea kod FET-ova 1 × str. 51
  3. 5.3 Upravljačko djelovanje gatea kod FET-a s N-kanalom 1 × str. 53
  4. 5.4 Izlazne karakteristike FET-a 2 × str. 56
V 0104 Osnovni sklopovi elektronike Priručnik · 243 str. 1 vježba

Navedeno u 1 vježbi U priručniku kao 9118.8 Prikaži sadržaj

  1. 1.2 Osnovni spojevi pojačala s tranzistorima s efektom polja (FET) 3 × str. 6