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Transistors à effet de champ à jonction

Type 9118 ...

Transistors à effet de champ à jonction

Transistors à effet de champ à jonction enfichables (canal N et canal P) en boîtier en plastique transparent.

Description

enfichables, en boîtier en plastique transparent incassable, avec trois fiches à lamelles dorées

Le symbole graphique est imprimé en blanc sur la face supérieure du boîtier.

Le transistor à canal N est disponible avec connexion de grille à gauche ou à droite.

Caractéristiques techniques

  • Disposition des fiches au pas de 19 mm
  • Diamètre des fiches : 4 mm
  • Dimensions du boîtier : 38 x 57 x 35 mm (l x P x H)

Types individuels

Nature Connexion de grille +UDS UGS UDG IGF Ptot Type
canal N à gauche 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.8
canal N à droite 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.19
canal P à gauche 20 V 20 V -20 V -10 mA 200 mW 9118.20

UDS = tension drain-source, UGS = tension grille-source, UDG = tension drain-grille, IGF = courant de grille, Ptot = puissance dissipée totale

Retour à la vue d’ensemble Page de catalogue 12 (PDF, en allemand)

Numéros de type tels qu’ils figurent dans les listes de composants et les expériences des manuels hps. La page détaillée de chaque type indique les expériences dans lesquelles il est utilisé. Mise à jour : 2026-09-06

Type Description Expériences Manuels
9118.8 Feldeffekt- 25 V / 10 mA · transistoren 25 V / 10 mA 5 V 0103 V 0104
9118.20 transistoren 20 V / 10 mA 1 V 0103

Ces informations proviennent des sommaires des manuels d’expériences hps (titres, numéros et pages). Tous les manuels sont en allemand ; les titres sont traduits, le titre original allemand s’affiche au survol. Tous les manuels et expériences

V 0103 Composants à semi-conducteurs Manuel · 168 pages 4 expériences

Cité dans 4 expériences Désigné dans le manuel par 9118.20, 9118.8 Voir le sommaire

  1. 5.1 Contrôle de la structure des couches et du comportement redresseur des FET 1 × p. 49
  2. 5.2 Caractéristique directe des jonctions PN de la grille des FET 1 × p. 51
  3. 5.3 Effet de commande de la grille du FET à canal N 1 × p. 53
  4. 5.4 Caractéristiques de sortie du FET 2 × p. 56
V 0104 Montages de base de l’électronique Manuel · 243 pages 1 expérience

Cité dans 1 expérience Désigné dans le manuel par 9118.8 Voir le sommaire

  1. 1.2 Montages amplificateurs de base à transistors à effet de champ (FET) 3 × p. 6