0
Tranzistory JFET

Typ 9118 ...

Tranzistory JFET

Zásuvné tranzistory řízené polem s přechodovým hradlem (JFET, kanál N a kanál P) v průhledném plastovém pouzdře.

Popis

zásuvné provedení, v nerozbitném průhledném plastovém pouzdře, se třemi pozlacenými lamelovými kolíky

Schematická značka je natištěna bíle na horní straně pouzdra.

Tranzistor s kanálem N je dodáván s vývodem hradla vlevo nebo s vývodem hradla vpravo.

Technické údaje

  • Rozmístění kolíků v rastru 19 mm
  • Průměr kolíků: 4 mm
  • Rozměry pouzdra: 38 x 57 x 35 mm (š x h x v)

Jednotlivé typy

Druh Vývod hradla +UDS UGS UDG IGF Ptot Typ
kanál N vlevo 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.8
kanál N vpravo 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.19
kanál P vlevo 20 V 20 V -20 V -10 mA 200 mW 9118.20

UDS = napětí drain-source, UGS = napětí gate-source, UDG = napětí drain-gate, IGF = proud hradla, Ptot = celkový ztrátový výkon

Zpět na přehled Strana katalogu 12 (PDF v němčině)

Typová čísla, jak je uvádějí přehledy součástek a úlohy v příručkách hps. Stránka s podrobnostmi o každém typu ukazuje úlohy, v nichž se používá. Stav k 2026-09-06

Typ Popis Úlohy Příručky
9118.8 Feldeffekt- 25 V / 10 mA · transistoren 25 V / 10 mA 5 V 0103 V 0104
9118.20 transistoren 20 V / 10 mA 1 V 0103

Údaje pocházejí z obsahů příruček laboratorních úloh hps (názvy, čísla a strany). Všechny příručky jsou v němčině; názvy jsou přeložené, původní německý název se zobrazí po najetí myší. Všechny příručky a úlohy

V 0103 Polovodičové součástky Příručka · 168 s. 4 úlohy

Uvedeno ve 4 úlohách V příručce uvedeno jako 9118.20, 9118.8 Zobrazit obsah

  1. 5.1 Kontrola struktury a usměrňovacího chování tranzistorů FET 1 × s. 49
  2. 5.2 Propustná charakteristika přechodů PN hradla u tranzistorů FET 1 × s. 51
  3. 5.3 Řídicí účinek hradla u tranzistoru FET s kanálem N 1 × s. 53
  4. 5.4 Výstupní charakteristiky tranzistoru FET 2 × s. 56
V 0104 Základní zapojení elektroniky Příručka · 243 s. 1 úloha

Uvedeno v 1 úloze V příručce uvedeno jako 9118.8 Zobrazit obsah

  1. 1.2 Základní zapojení zesilovačů s tranzistory řízenými polem (FET) 3 × s. 6