0
Junction-felteffekttransistorer (JFET)

Type 9118 ...

Junction-felteffekttransistorer (JFET)

Stikbare junction-felteffekttransistorer (N-kanal og P-kanal) i et gennemsigtigt plasthus.

Beskrivelse

stikbar, i et brudsikkert, gennemsigtigt plasthus med tre forgyldte lamelstik

Diagramsymbolet er trykt i hvidt på husets overside.

N-kanal-transistoren fås med gatetilslutning til venstre eller til højre.

Tekniske data

  • Stik placeret i 19 mm-raster
  • Stikdiameter: 4 mm
  • Husets mål: 38 x 57 x 35 mm (B x D x H)

Enkelttyper

Art Gatetilslutning +UDS UGS UDG IGF Ptot Type
N-kanal venstre 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.8
N-kanal højre 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.19
P-kanal venstre 20 V 20 V -20 V -10 mA 200 mW 9118.20

UDS = drain-source-spænding, UGS = gate-source-spænding, UDG = drain-gate-spænding, IGF = gatestrøm, Ptot = samlet effekttab

Tilbage til oversigten Katalogside 12 (PDF på tysk)

Typenumre, som de er angivet i komponentoversigterne og forsøgene i hps’ håndbøger. Detaljesiden for hver type viser de forsøg, hvor typen bruges. Opdateret 2026-09-06

Type Beskrivelse Forsøg Håndbøger
9118.8 Feldeffekt- 25 V / 10 mA · transistoren 25 V / 10 mA 5 V 0103 V 0104
9118.20 transistoren 20 V / 10 mA 1 V 0103

Oplysningerne stammer fra indholdsfortegnelserne i hps’ forsøgshåndbøger (titler, numre og sider). Alle håndbøger er på tysk; titlerne er oversat, og den oprindelige tyske titel vises, når du holder musen over. Alle håndbøger og forsøg

V 0103 Halvlederkomponenter Håndbog · 168 sider 4 forsøg

Nævnt i 4 forsøg I håndbogen betegnet som 9118.20, 9118.8 Se indholdsfortegnelse

  1. 5.1 Kontrol af lagdeling og ensretteregenskaber for FET’er 1 × s. 49
  2. 5.2 Ledekarakteristik for gatens PN-overgange i FET’er 1 × s. 51
  3. 5.3 Gatens styrevirkning i N-kanal-FET’en 1 × s. 53
  4. 5.4 FET’ens udgangskarakteristikker 2 × s. 56
V 0104 Grundlæggende elektronikkredsløb Håndbog · 243 sider 1 forsøg

Nævnt i 1 forsøg I håndbogen betegnet som 9118.8 Se indholdsfortegnelse

  1. 1.2 Grundlæggende forstærkerkoblinger med felteffekttransistorer (FET) 3 × s. 6