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Transistor a effetto di campo a giunzione

Tipo 9118 ...

Transistor a effetto di campo a giunzione

Transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) a innesto, a canale N e a canale P, in contenitore in plastica trasparente.

Descrizione

a innesto, in contenitore in plastica trasparente infrangibile, con tre spinotti a lamelle dorati

Il simbolo grafico è stampato in bianco sul lato superiore del contenitore.

Il transistor a canale N è disponibile con connessione di gate a sinistra o con connessione di gate a destra.

Dati tecnici

  • Disposizione delle spine con passo di 19 mm
  • Diametro delle spine: 4 mm
  • Dimensioni del contenitore: 38 x 57 x 35 mm (L x P x A)

Tipi singoli

Canale Connessione di gate +UDS UGS UDG IGF Ptot Tipo
canale N a sinistra 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.8
canale N a destra 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.19
canale P a sinistra 20 V 20 V -20 V -10 mA 200 mW 9118.20

UDS = tensione drain-source, UGS = tensione gate-source, UDG = tensione drain-gate, IGF = corrente di gate, Ptot = potenza dissipata totale

Torna alla panoramica Pagina di catalogo 12 (PDF, in tedesco)

Numeri di tipo così come indicati negli elenchi componenti e nelle esercitazioni dei manuali hps. La pagina di dettaglio di ciascun tipo mostra le esercitazioni in cui viene utilizzato. Aggiornato al 2026-09-06

Tipo Descrizione Esercitazioni Manuali
9118.8 Feldeffekt- 25 V / 10 mA · transistoren 25 V / 10 mA 5 V 0103 V 0104
9118.20 transistoren 20 V / 10 mA 1 V 0103

I dati sono tratti dagli indici dei manuali di esercitazioni hps (titoli, numeri e pagine). Tutti i manuali sono in lingua tedesca; i titoli sono tradotti e il titolo originale tedesco compare passandoci sopra con il mouse. Tutti i manuali e le esercitazioni

V 0103 Componenti a semiconduttore Manuale · 168 pagine 4 esercitazioni

Citato in 4 esercitazioni Indicato nel manuale come 9118.20, 9118.8 Visualizza indice

  1. 5.1 Verifica della struttura a strati e del comportamento raddrizzante dei FET 1 × pag. 49
  2. 5.2 Caratteristica diretta delle giunzioni PN del gate nei FET 1 × pag. 51
  3. 5.3 Effetto di comando del gate nel FET a canale N 1 × pag. 53
  4. 5.4 Caratteristiche di uscita del FET 2 × pag. 56
V 0104 Circuiti fondamentali dell’elettronica Manuale · 243 pagine 1 esercitazione

Citato in 1 esercitazione Indicato nel manuale come 9118.8 Visualizza indice

  1. 1.2 Configurazioni fondamentali degli amplificatori con transistor a effetto di campo (FET) 3 × pag. 6