0
Spärrskiktsfälteffekttransistorer

Typ 9118 ...

Spärrskiktsfälteffekttransistorer

Insticksbara spärrskiktsfälteffekttransistorer (N-kanal och P-kanal) i genomskinlig plastkapsling.

Beskrivning

insticksbar, i en okrossbar, genomskinlig plastkapsling, med tre förgyllda lamellkontakter

Kretssymbolen är tryckt i vitt på kapslingens ovansida.

N-kanaltransistorn levereras med gateanslutning till vänster eller till höger.

Tekniska data

  • Kontakter placerade med 19 mm delning
  • Kontaktdiameter: 4 mm
  • Kapslingens mått: 38 x 57 x 35 mm (B x D x H)

Enskilda typer

Slag Gateanslutning +UDS UGS UDG IGF Ptot Typ
N-kanal vänster 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.8
N-kanal höger 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.19
P-kanal vänster 20 V 20 V -20 V -10 mA 200 mW 9118.20

UDS = drain-sourcespänning, UGS = gate-sourcespänning, UDG = drain-gatespänning, IGF = gateström, Ptot = total förlusteffekt

Tillbaka till översikten Katalogsida 12 (PDF på tyska)

Typnummer så som de anges i komponentöversikterna och laborationerna i hps handböcker. Detaljsidan för varje typ visar de laborationer där typen används. Uppdaterad 2026-09-06

Typ Beskrivning Laborationer Handböcker
9118.8 Feldeffekt- 25 V / 10 mA · transistoren 25 V / 10 mA 5 V 0103 V 0104
9118.20 transistoren 20 V / 10 mA 1 V 0103

Uppgifterna är hämtade från innehållsförteckningarna i hps laborationshandböcker (titlar, nummer och sidor). Alla handböcker är på tyska; titlarna är översatta, och den ursprungliga tyska titeln visas när du håller muspekaren över dem. Alla handböcker och laborationer

V 0103 Halvledarkomponenter Handbok · 168 sidor 4 laborationer

Nämnd i 4 laborationer I handboken som 9118.20, 9118.8 Visa innehållsförteckningen

  1. 5.1 Kontroll av skiktföljd och likriktarbeteende hos FET 1 × s. 49
  2. 5.2 Framspänningskarakteristik för gatens PN-övergångar hos FET 1 × s. 51
  3. 5.3 Gatens styrverkan hos N-kanal-FET 1 × s. 53
  4. 5.4 Utgångskarakteristikor för FET 2 × s. 56
V 0104 Grundläggande elektronikkretsar Handbok · 243 sidor 1 laboration

Nämnd i 1 laboration I handboken som 9118.8 Visa innehållsförteckningen

  1. 1.2 Grundkopplingar för förstärkare med fälteffekttransistorer (FET) 3 × s. 6