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Transístores de efeito de campo de junção

Tipo 9118 ...

Transístores de efeito de campo de junção

Transístores de efeito de campo de junção (JFET) encaixáveis (canal N e canal P) em caixa de plástico transparente.

Descrição

encaixável, em caixa de plástico transparente inquebrável, com três fichas de lamelas douradas

O símbolo elétrico está impresso a branco na face superior da caixa.

O transístor de canal N está disponível com ligação da porta à esquerda ou com ligação da porta à direita.

Especificações técnicas

  • Disposição das fichas com passo de 19 mm
  • Diâmetro das fichas: 4 mm
  • Dimensões da caixa: 38 x 57 x 35 mm (L x P x A)

Tipos individuais

Tipo de transístor Ligação da porta +UDS UGS UDG IGF Ptot Tipo
Canal N à esquerda 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.8
Canal N à direita 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.19
Canal P à esquerda 20 V 20 V -20 V -10 mA 200 mW 9118.20

UDS = tensão dreno-fonte, UGS = tensão porta-fonte, UDG = tensão dreno-porta, IGF = corrente de porta, Ptot = potência total dissipada

Voltar à vista geral Página 12 do catálogo (PDF, em alemão)

Números de tipo tal como constam das listas de componentes e das experiências dos manuais da hps. A página de detalhe de cada tipo mostra as experiências em que é utilizado. Atualizado em 2026-09-06

Tipo Descrição Experiências Manuais
9118.8 Feldeffekt- 25 V / 10 mA · transistoren 25 V / 10 mA 5 V 0103 V 0104
9118.20 transistoren 20 V / 10 mA 1 V 0103

Os dados provêm dos índices dos manuais de experiências da hps (títulos, números e páginas). Todos os manuais estão em alemão; os títulos estão traduzidos e o título original em alemão aparece ao passar o cursor por cima. Todos os manuais e experiências

V 0103 Componentes semicondutores Manual · 168 páginas 4 experiências

Referido em 4 experiências Designado no manual como 9118.20, 9118.8 Ver índice

  1. 5.1 Verificação da estrutura de camadas e do comportamento retificador de FET 1 × p. 49
  2. 5.2 Curva característica direta das junções PN da porta nos FET 1 × p. 51
  3. 5.3 Efeito de comando da porta no FET de canal N 1 × p. 53
  4. 5.4 Curvas características de saída do FET 2 × p. 56
V 0104 Circuitos básicos de eletrónica Manual · 243 páginas 1 experiência

Referido em 1 experiência Designado no manual como 9118.8 Ver índice

  1. 1.2 Montagens amplificadoras básicas com transístores de efeito de campo (FET) 3 × p. 6