Manual V 0103 · Eletrotecnia

Componentes semicondutores

Halbleiterbauelemente

  • 26 experiências
  • Manual · 168 páginas
  • Edição 4

Manual em alemão. Os títulos estão traduzidos; por baixo de cada um figura o título original em alemão, tal como está impresso no manual.

assinala as experiências. Os componentes e equipamentos de cada experiência podem ser expandidos.

  1. Parte principal

  2. 1 Díodos retificadores Gleichrichterdioden p. 1
  3. 1.1 Experiência: Efeito da junção PN nos díodos Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden p. 1
    2 componentes / equipamentos
  4. 1.2 Experiência: Representação das curvas características de díodos de diferentes materiais semicondutores Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe p. 3
    3 componentes / equipamentos
  5. 1.3 Experiência: Circuito de ponto médio de um impulso M1 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 p. 5
    4 componentes / equipamentos
  6. 1.4 Experiência: Ponte de dois impulsos B2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 p. 8
    4 componentes / equipamentos
  7. 2 Díodos Zener Z-Dioden p. 11
  8. 2.1 Experiência: Curva característica direta e inversa de díodos Zener Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden p. 11
    2 componentes / equipamentos
  9. 2.2 Experiência: Limitação de tensão contínua com díodos Zener Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden p. 13
    3 componentes / equipamentos
  10. 2.3 Experiência: Associação em série e em antissérie de díodos Zener Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden p. 19
    3 componentes / equipamentos
  11. 2.4 Experiência: Limitação de tensão alternada e proteção contra sobretensões com díodos Zener Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden p. 21
    3 componentes / equipamentos
  12. 2.5 Experiência: Estabilização de tensão com díodos Zener Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden p. 25
    4 componentes / equipamentos
  13. 3 Experiência: Díodos emissores de luz Leuchtdioden p. 27
    2 componentes / equipamentos
  14. 4 Transístores bipolares Bipolare Transistoren p. 31
  15. 4.1 Experiência: Verificação da estrutura de camadas e do comportamento retificador de transístores bipolares Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren p. 31
    3 componentes / equipamentos
  16. 4.2 Experiência: Distribuição da corrente no transístor e efeito de comando da corrente de base Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms p. 35
    3 componentes / equipamentos
  17. 4.3 Experiência: As curvas características do transístor Die Kennlinien des Transistors p. 39
    3 componentes / equipamentos
  18. 4.4 Experiência: Influência da resistência de carga nas propriedades do transístor Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften p. 44
    4 componentes / equipamentos
  19. 5 Transístores unipolares (transístores de efeito de campo de junção) Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) p. 49
  20. 5.1 Experiência: Verificação da estrutura de camadas e do comportamento retificador de FET Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs p. 49
    3 componentes / equipamentos
  21. 5.2 Experiência: Curva característica direta das junções PN da porta nos FET Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs p. 51
    3 componentes / equipamentos
  22. 5.3 Experiência: Efeito de comando da porta no FET de canal N Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET p. 53
    3 componentes / equipamentos
  23. 5.4 Experiência: Curvas características de saída do FET Ausgangskennlinien des FETs p. 56
    3 componentes / equipamentos
  24. 6 MOSFET (IGFET) MOS-FET (IG-FET) p. 63
  25. 6.1 Experiência: Efeito de comando da porta no MOSFET de enriquecimento Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET p. 63
    3 componentes / equipamentos
  26. 6.2 Experiência: Curvas características de saída do MOSFET de enriquecimento Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs p. 67
    3 componentes / equipamentos
  27. 7 Transístor de unijunção (UJT) Unijunction-Transistor (UJT) p. 73
  28. 7.1 Experiência: Verificação do percurso entre bases no transístor de unijunção Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor p. 73
    2 componentes / equipamentos
  29. 7.2 Experiência: Curvas características de comutação do transístor de unijunção Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors p. 75
    3 componentes / equipamentos
  30. 7.3 Experiência: Curvas características de comando do transístor de unijunção Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors p. 78
    3 componentes / equipamentos
  31. 8 Tirístores Thyristoren p. 81
  32. 8.1 Experiência: Díodo tirístor (DIAC) Thyristordiode (DIAC) p. 81
    3 componentes / equipamentos
  33. 8.2 Experiência: Tríodo tirístor (tirístor) Thyristortriode (Thyristor) p. 84
    6 componentes / equipamentos
  34. 8.3 Experiência: Tirístor bidirecional (TRIAC) Zweirichtungsthyristor (TRIAC) p. 89
    4 componentes / equipamentos
  35. Parte de soluções

  36. Soluções L 1 Lösungen L 1 L 56
  37. Anexo

  38. Anexo Anhang A 1
  39. Abreviaturas e símbolos utilizados Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
  40. Lista dos componentes encaixáveis Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
  41. Fontes de alimentação e aparelhos de medida necessários Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5
  42. Transparências

  43. Transparência Folie
  44. ELECTRONIC BOARD (Tipo 1018) ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

É apresentado apenas o índice (títulos, números, páginas). O manual completo é fornecido com o sistema didático. As quantidades provêm da lista de componentes do manual.