Rokasgrāmata V 0103 · Elektrotehnika

Pusvadītāju komponenti

Halbleiterbauelemente

  • 26 eksperimenti
  • Rokasgrāmata · 168 lappuses
  • Izdevums 4

Rokasgrāmata vācu valodā. Nosaukumi ir tulkoti; zem katra no tiem ir norādīts oriģinālais nosaukums vācu valodā, kā tas iespiests rokasgrāmatā.

apzīmē eksperimentus. Katra eksperimenta komponentus un ierīces var izvērst.

  1. Pamatdaļa

  2. 1 Taisngriežu diodes Gleichrichterdioden 1. lpp.
  3. 1.1 Eksperiments: PN pārejas darbība diodēs Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden 1. lpp.
    2 komponenti / ierīces
  4. 1.2 Eksperiments: Diožu no dažādiem pusvadītāju materiāliem raksturlīkņu attēlošana Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe 3. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  5. 1.3 Eksperiments: Vienpulsa viduspunkta slēgums M1 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 5. lpp.
    4 komponenti / ierīces
  6. 1.4 Eksperiments: Divpulsu tilta slēgums B2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 8. lpp.
    4 komponenti / ierīces
  7. 2 Stabilitroni (Z diodes) Z-Dioden 11. lpp.
  8. 2.1 Eksperiments: Stabilitronu tiešā un pretējā virziena raksturlīkne Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden 11. lpp.
    2 komponenti / ierīces
  9. 2.2 Eksperiments: Līdzsprieguma ierobežošana ar stabilitroniem Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 13. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  10. 2.3 Eksperiments: Stabilitronu virknes un pretslēgums Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden 19. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  11. 2.4 Eksperiments: Maiņsprieguma ierobežošana un pārsprieguma aizsardzība ar stabilitroniem Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden 21. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  12. 2.5 Eksperiments: Sprieguma stabilizācija ar stabilitroniem Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden 25. lpp.
    4 komponenti / ierīces
  13. 3 Eksperiments: Gaismas diodes Leuchtdioden 27. lpp.
    2 komponenti / ierīces
  14. 4 Bipolārie tranzistori Bipolare Transistoren 31. lpp.
  15. 4.1 Eksperiments: Bipolāro tranzistoru slāņu struktūras un taisngriešanas īpašību pārbaude Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 31. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  16. 4.2 Eksperiments: Strāvas sadalījums tranzistorā un bāzes strāvas vadošā iedarbība Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 35. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  17. 4.3 Eksperiments: Tranzistora raksturlīknes Die Kennlinien des Transistors 39. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  18. 4.4 Eksperiments: Slodzes rezistora ietekme uz tranzistora īpašībām Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 44. lpp.
    4 komponenti / ierīces
  19. 5 Unipolārie tranzistori (lauktranzistori ar p-n pāreju) Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) 49. lpp.
  20. 5.1 Eksperiments: Lauktranzistoru slāņu struktūras un taisngriešanas īpašību pārbaude Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs 49. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  21. 5.2 Eksperiments: Lauktranzistoru aizvara PN pāreju tiešā virziena raksturlīkne Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs 51. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  22. 5.3 Eksperiments: Aizvara vadošā iedarbība N kanāla lauktranzistorā Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET 53. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  23. 5.4 Eksperiments: Lauktranzistora izejas raksturlīknes Ausgangskennlinien des FETs 56. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  24. 6 MOS lauktranzistors (IG-FET) MOS-FET (IG-FET) 63. lpp.
  25. 6.1 Eksperiments: Aizvara vadošā iedarbība normāli slēgtā MOS lauktranzistorā Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET 63. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  26. 6.2 Eksperiments: Normāli slēgta MOS lauktranzistora izejas raksturlīknes Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs 67. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  27. 7 Vienpārejas tranzistors (UJT) Unijunction-Transistor (UJT) 73. lpp.
  28. 7.1 Eksperiments: Vienpārejas tranzistora starpbāzu posma pārbaude Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor 73. lpp.
    2 komponenti / ierīces
  29. 7.2 Eksperiments: Vienpārejas tranzistora pārslēgšanās raksturlīknes Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors 75. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  30. 7.3 Eksperiments: Vienpārejas tranzistora vadības raksturlīknes Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors 78. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  31. 8 Tiristori Thyristoren 81. lpp.
  32. 8.1 Eksperiments: Diodes tiristors (DIAC) Thyristordiode (DIAC) 81. lpp.
    3 komponenti / ierīces
  33. 8.2 Eksperiments: Triodes tiristors (tiristors) Thyristortriode (Thyristor) 84. lpp.
    6 komponenti / ierīces
  34. 8.3 Eksperiments: Simetriskais tiristors (TRIAC) Zweirichtungsthyristor (TRIAC) 89. lpp.
    4 komponenti / ierīces
  35. Risinājumu daļa

  36. Risinājumi L 1 Lösungen L 1 L 56
  37. Pielikums

  38. Pielikums Anhang A 1
  39. Izmantotie saīsinājumi un formulu apzīmējumi Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
  40. Spraužamo komponentu kopsavilkums Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
  41. Nepieciešamie barošanas avoti un mērinstrumenti Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5
  42. Slaidi

  43. Slaids Folie
  44. ELECTRONIC BOARD (tips 1018) ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

Tiek rādīts tikai satura rādītājs (nosaukumi, numuri, lappuses). Pilna rokasgrāmata tiek piegādāta kopā ar mācību sistēmu. Daudzumi ņemti no rokasgrāmatas komponentu pārskata.