Manuel V 0103 · Électrotechnique

Composants à semi-conducteurs

Halbleiterbauelemente

  • 26 expériences
  • Manuel · 168 pages
  • Édition 4

Manuel en allemand. Les titres sont traduits ; sous chacun d’eux figure le titre original allemand tel qu’il est imprimé dans le manuel.

signale les expériences. Les composants et appareils de chaque expérience peuvent être dépliés.

  1. Partie principale

  2. 1 Diodes de redressement Gleichrichterdioden p. 1
  3. 1.1 Expérience : Effet de la jonction PN dans les diodes Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden p. 1
    2 composants / appareils
  4. 1.2 Expérience : Représentation des caractéristiques de diodes en différents matériaux semi-conducteurs Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe p. 3
    3 composants / appareils
  5. 1.3 Expérience : Montage à point milieu à une impulsion M1 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 p. 5
    4 composants / appareils
  6. 1.4 Expérience : Pont à deux impulsions B2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 p. 8
    4 composants / appareils
  7. 2 Diodes Zener Z-Dioden p. 11
  8. 2.1 Expérience : Caractéristique directe et inverse des diodes Zener Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden p. 11
    2 composants / appareils
  9. 2.2 Expérience : Limitation de tension continue par diodes Zener Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden p. 13
    3 composants / appareils
  10. 2.3 Expérience : Montage en série et tête-bêche de diodes Zener Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden p. 19
    3 composants / appareils
  11. 2.4 Expérience : Limitation de tension alternative et protection contre les surtensions par diodes Zener Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden p. 21
    3 composants / appareils
  12. 2.5 Expérience : Stabilisation de tension par diodes Zener Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden p. 25
    4 composants / appareils
  13. 3 Expérience : Diodes électroluminescentes Leuchtdioden p. 27
    2 composants / appareils
  14. 4 Transistors bipolaires Bipolare Transistoren p. 31
  15. 4.1 Expérience : Contrôle de la structure des couches et du comportement redresseur des transistors bipolaires Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren p. 31
    3 composants / appareils
  16. 4.2 Expérience : Répartition des courants dans le transistor et effet de commande du courant de base Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms p. 35
    3 composants / appareils
  17. 4.3 Expérience : Les caractéristiques du transistor Die Kennlinien des Transistors p. 39
    3 composants / appareils
  18. 4.4 Expérience : Influence de la résistance de charge sur les propriétés du transistor Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften p. 44
    4 composants / appareils
  19. 5 Transistors unipolaires (transistors à effet de champ à jonction) Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) p. 49
  20. 5.1 Expérience : Contrôle de la structure des couches et du comportement redresseur des FET Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs p. 49
    3 composants / appareils
  21. 5.2 Expérience : Caractéristique directe des jonctions PN de la grille des FET Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs p. 51
    3 composants / appareils
  22. 5.3 Expérience : Effet de commande de la grille du FET à canal N Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET p. 53
    3 composants / appareils
  23. 5.4 Expérience : Caractéristiques de sortie du FET Ausgangskennlinien des FETs p. 56
    3 composants / appareils
  24. 6 MOS-FET (IG-FET) p. 63
  25. 6.1 Expérience : Effet de commande de la grille du MOS-FET à enrichissement Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET p. 63
    3 composants / appareils
  26. 6.2 Expérience : Caractéristiques de sortie du MOS-FET à enrichissement Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs p. 67
    3 composants / appareils
  27. 7 Transistor unijonction (UJT) Unijunction-Transistor (UJT) p. 73
  28. 7.1 Expérience : Contrôle de la résistance interbase du transistor unijonction Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor p. 73
    2 composants / appareils
  29. 7.2 Expérience : Caractéristiques de commutation du transistor unijonction Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors p. 75
    3 composants / appareils
  30. 7.3 Expérience : Caractéristiques de commande du transistor unijonction Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors p. 78
    3 composants / appareils
  31. 8 Thyristors Thyristoren p. 81
  32. 8.1 Expérience : Diode bidirectionnelle de déclenchement (DIAC) Thyristordiode (DIAC) p. 81
    3 composants / appareils
  33. 8.2 Expérience : Triode thyristor (thyristor) Thyristortriode (Thyristor) p. 84
    6 composants / appareils
  34. 8.3 Expérience : Thyristor bidirectionnel (TRIAC) Zweirichtungsthyristor (TRIAC) p. 89
    4 composants / appareils
  35. Corrigés

  36. Corrigés L 1 Lösungen L 1 L 56
  37. Annexe

  38. Annexe Anhang A 1
  39. Abréviations et symboles utilisés Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
  40. Liste des composants enfichables Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
  41. Alimentations et appareils de mesure requis Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5
  42. Transparents

  43. Transparent Folie
  44. ELECTRONIC BOARD (type 1018) ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

Seul le sommaire (titres, numéros, pages) est affiché. Le manuel complet est livré avec le système didactique. Les quantités proviennent de la liste des composants du manuel.