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Transistor à effet de champ MOS

Type 9118.11

Transistor à effet de champ MOS

Transistor à effet de champ MOS enfichable (-40 V / -50 mA) avec connexion de grille à gauche, en boîtier en plastique transparent.

Description

enfichable, en boîtier en plastique transparent incassable, avec trois fiches à lamelles dorées

Le symbole graphique est imprimé en blanc sur la face supérieure du boîtier.

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source : UDS = -40 V
  • Tension drain-grille : UDG = -40 V
  • Courant de drain : ID = -50 mA
  • Puissance dissipée totale : Ptot = 375 mW
  • Connexion de grille : à gauche
  • Disposition des fiches au pas de 19 mm
  • Diamètre des fiches : 4 mm
  • Dimensions du boîtier : 38 x 57 x 35 mm (l x P x H)
Retour à la vue d’ensemble Page de catalogue 12 (PDF, en allemand)

Ces informations proviennent des sommaires des manuels d’expériences hps (titres, numéros et pages). Tous les manuels sont en allemand ; les titres sont traduits, le titre original allemand s’affiche au survol. Tous les manuels et expériences

V 0103 Composants à semi-conducteurs Manuel · 168 pages 2 expériences

Cité dans 2 expériences Voir le sommaire

  1. 6.1 Effet de commande de la grille du MOS-FET à enrichissement 1 × p. 63
  2. 6.2 Caractéristiques de sortie du MOS-FET à enrichissement 2 × p. 67
V 0104 Montages de base de l’électronique Manuel · 243 pages 1 expérience

Cité dans 1 expérience Voir le sommaire

  1. 4.2.3 Régulateur de tension à découpage 1 × p. 92