0
MOS-veldeffecttransistor

Type 9118.11

MOS-veldeffecttransistor

Insteekbare MOS-veldeffecttransistor (-40 V / -50 mA) met gateaansluiting links in een transparante kunststof behuizing.

Beschrijving

insteekbaar, in een onbreekbare transparante kunststof behuizing, met drie vergulde lamelstekkers

Het schakelsymbool is wit op de bovenkant van de behuizing gedrukt.

Technische gegevens

  • Drain-sourcespanning: UDS = -40 V
  • Drain-gatespanning: UDG = -40 V
  • Drainstroom: ID = -50 mA
  • Totaal verliesvermogen: Ptot = 375 mW
  • Gateaansluiting: links
  • Stekkers in een raster van 19 mm
  • Stekkerdiameter: 4 mm
  • Afmetingen behuizing: 38 x 57 x 35 mm (B x D x H)
Terug naar het overzicht Cataloguspagina 12 (Duitstalige pdf)

De gegevens zijn afkomstig uit de inhoudsopgaven van de hps-proevenhandboeken (titels, nummers en pagina’s). Alle handboeken zijn in het Duits; de titels zijn vertaald, de oorspronkelijke Duitse titel verschijnt wanneer u er met de muis overheen gaat. Alle handboeken en proeven

V 0103 Halfgeleidercomponenten Handboek · 168 pagina’s 2 proeven

Vermeld in 2 proeven Inhoudsopgave bekijken

  1. 6.1 Stuurwerking van de gate bij de zelfsperrende MOSFET 1 × p. 63
  2. 6.2 Uitgangskarakteristieken van de zelfsperrende MOSFET 2 × p. 67
V 0104 Basisschakelingen van de elektronica Handboek · 243 pagina’s 1 proef

Vermeld in 1 proef Inhoudsopgave bekijken

  1. 4.2.3 Schakelende spanningsregelaar 1 × p. 92