Transistor tal-effett tal-kamp MOS (MOSFET)

Tip 9118.11

Transistor tal-effett tal-kamp MOS (MOSFET)

Transistor tal-effett tal-kamp MOS plug-in (-40 V / -50 mA) bil-konnessjoni tal-gate fuq ix-xellug, f'kaxxa trasparenti tal-plastik.

Deskrizzjoni

plug-in, f'kaxxa trasparenti tal-plastik li ma tinkisirx, bi tliet plaggs lamellati miksija bid-deheb

Is-simbolu taċ-ċirkwit huwa stampat bl-abjad fuq in-naħa ta' fuq tal-kaxxa.

Speċifikazzjonijiet tekniċi

  • Vultaġġ drain-source: UDS = -40 V
  • Vultaġġ drain-gate: UDG = -40 V
  • Kurrent tad-drain: ID = -50 mA
  • Dissipazzjoni totali tal-qawwa: Ptot = 375 mW
  • Konnessjoni tal-gate: xellug
  • Plaggs irranġati fi grilja ta' 19 mm
  • Dijametru tal-plagg: 4 mm
  • Dimensjonijiet tal-kaxxa: 38 x 57 x 35 mm (wisa' x fond x għoli)

L-informazzjoni hija meħuda mill-werrejiet tal-manwali tal-esperimenti ta' hps (titoli, numri u paġni). Il-manwali kollha huma bil-Ġermaniż; it-titoli huma tradotti, u t-titolu oriġinali bil-Ġermaniż jidher meta tgħaddi l-cursor minn fuqu. Il-manwali u l-esperimenti kollha

V 0103 Komponenti semikondutturi Manwal · 168 paġ. 2 esperimenti

Imsemmi f'2 esperimenti Ara l-werrej

  1. 6.1 L-effett tal-kontroll tal-gate fil-MOSFET tat-tip enhancement 1 × paġ. 63
  2. 6.2 Kurvi karatteristiċi tal-output tal-MOSFET tat-tip enhancement 2 × paġ. 67
V 0104 Ċirkwiti bażiċi tal-elettronika Manwal · 243 paġ. 1 esperiment

Imsemmi f'1 esperiment Ara l-werrej

  1. 4.2.3 Regolatur tal-vultaġġ switching 1 × paġ. 92