0
MOS tranzistor s efektom polja

Tip 9118.11

MOS tranzistor s efektom polja

Utični MOS tranzistor s efektom polja (-40 V / -50 mA) s priključkom gatea lijevo u prozirnom plastičnom kućištu.

Opis

utični, u prozirnom plastičnom kućištu otpornom na lom, s tri pozlaćena lamelna utikača

Grafički simbol otisnut je bijelom bojom na gornjoj strani kućišta.

Tehnički podaci

  • Napon drain-source: UDS = -40 V
  • Napon drain-gate: UDG = -40 V
  • Struja draina: ID = -50 mA
  • Ukupna disipacija snage: Ptot = 375 mW
  • Priključak gatea: lijevo
  • Raspored utikača u rasteru od 19 mm
  • Promjer utikača: 4 mm
  • Dimenzije kućišta: 38 x 57 x 35 mm (Š x D x V)
Natrag na pregled Kataloška stranica 12 (PDF, na njemačkom)

Podaci su preuzeti iz sadržaja hps priručnika za vježbe (naslovi, brojevi i stranice). Svi su priručnici na njemačkom jeziku; naslovi su prevedeni, a izvorni njemački naslov prikazuje se kad pokazivač miša prijeđe preko njega. Svi priručnici i vježbe

V 0103 Poluvodičke komponente Priručnik · 168 str. 2 vježbe

Navedeno u 2 vježbe Prikaži sadržaj

  1. 6.1 Upravljačko djelovanje gatea kod MOS-FET-a obogaćenog tipa 1 × str. 63
  2. 6.2 Izlazne karakteristike MOS-FET-a obogaćenog tipa 2 × str. 67
V 0104 Osnovni sklopovi elektronike Priručnik · 243 str. 1 vježba

Navedeno u 1 vježbi Prikaži sadržaj

  1. 4.2.3 Sklopni regulator napona 1 × str. 92