Typ 9118.11
Tranzystor polowy MOS
Wtykowy tranzystor polowy MOS (-40 V / -50 mA) z wyprowadzeniem bramki z lewej strony w przezroczystej obudowie z tworzywa sztucznego.
Opis
wtykowy, w nietłukącej przezroczystej obudowie z tworzywa sztucznego, z trzema złoconymi wtykami lamelowymi
Symbol graficzny jest nadrukowany na biało na górnej stronie obudowy.
Dane techniczne
- Napięcie dren-źródło: UDS = -40 V
- Napięcie dren-bramka: UDG = -40 V
- Prąd drenu: ID = -50 mA
- Całkowita moc strat: Ptot = 375 mW
- Wyprowadzenie bramki: z lewej
- Wtyki rozmieszczone w rastrze 19 mm
- Średnica wtyków: 4 mm
- Wymiary obudowy: 38 x 57 x 35 mm (szer. x gł. x wys.)
Dane pochodzą ze spisów treści podręczników ćwiczeń hps (tytuły, numery i strony). Wszystkie podręczniki są w języku niemieckim; tytuły są przetłumaczone, a oryginalny niemiecki tytuł pojawia się po najechaniu kursorem. Wszystkie podręczniki i ćwiczenia
V 0103 Elementy półprzewodnikowe Podręcznik · 168 s. 2 ćwiczenia
Występuje w 2 ćwiczeniach Zobacz spis treści
- 6.1 Sterujące działanie bramki w tranzystorze MOSFET normalnie wyłączonym 1 × s. 63
- 6.2 Charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego 2 × s. 67
Żadne ćwiczenie nie pasuje do filtra.
V 0104 Podstawowe układy elektroniczne Podręcznik · 243 s. 1 ćwiczenie
Występuje w 1 ćwiczeniu Zobacz spis treści
- 4.2.3 Impulsowy stabilizator napięcia 1 × s. 92
Żadne ćwiczenie nie pasuje do filtra.