Tipo 9118.11
Transístor de efeito de campo MOS
Transístor de efeito de campo MOS encaixável (-40 V / -50 mA) com ligação da porta à esquerda, em caixa de plástico transparente.
Descrição
encaixável, em caixa de plástico transparente inquebrável, com três fichas de lamelas douradas
O símbolo elétrico está impresso a branco na face superior da caixa.
Especificações técnicas
- Tensão dreno-fonte: UDS = -40 V
- Tensão dreno-porta: UDG = -40 V
- Corrente de dreno: ID = -50 mA
- Potência total dissipada: Ptot = 375 mW
- Ligação da porta: à esquerda
- Disposição das fichas com passo de 19 mm
- Diâmetro das fichas: 4 mm
- Dimensões da caixa: 38 x 57 x 35 mm (L x P x A)
Os dados provêm dos índices dos manuais de experiências da hps (títulos, números e páginas). Todos os manuais estão em alemão; os títulos estão traduzidos e o título original em alemão aparece ao passar o cursor por cima. Todos os manuais e experiências
V 0103 Componentes semicondutores Manual · 168 páginas 2 experiências
Referido em 2 experiências Ver índice
- 6.1 Efeito de comando da porta no MOSFET de enriquecimento 1 × p. 63
- 6.2 Curvas características de saída do MOSFET de enriquecimento 2 × p. 67
Nenhuma experiência corresponde ao filtro.
V 0104 Circuitos básicos de eletrónica Manual · 243 páginas 1 experiência
Referido em 1 experiência Ver índice
- 4.2.3 Regulador de tensão comutado 1 × p. 92
Nenhuma experiência corresponde ao filtro.