0
MOS-felteffekttransistor

Type 9118.11

MOS-felteffekttransistor

Stikbar MOS-felteffekttransistor (-40 V / -50 mA) med gatetilslutning til venstre i et gennemsigtigt plasthus.

Beskrivelse

stikbar, i et brudsikkert, gennemsigtigt plasthus med tre forgyldte lamelstik

Diagramsymbolet er trykt i hvidt på husets overside.

Tekniske data

  • Drain-source-spænding: UDS = -40 V
  • Drain-gate-spænding: UDG = -40 V
  • Drainstrøm: ID = -50 mA
  • Samlet effekttab: Ptot = 375 mW
  • Gatetilslutning: venstre
  • Stik placeret i 19 mm-raster
  • Stikdiameter: 4 mm
  • Husets mål: 38 x 57 x 35 mm (B x D x H)
Tilbage til oversigten Katalogside 12 (PDF på tysk)

Oplysningerne stammer fra indholdsfortegnelserne i hps’ forsøgshåndbøger (titler, numre og sider). Alle håndbøger er på tysk; titlerne er oversat, og den oprindelige tyske titel vises, når du holder musen over. Alle håndbøger og forsøg

V 0103 Halvlederkomponenter Håndbog · 168 sider 2 forsøg

Nævnt i 2 forsøg Se indholdsfortegnelse

  1. 6.1 Gatens styrevirkning i den selvspærrende MOSFET 1 × s. 63
  2. 6.2 Udgangskarakteristikker for den selvspærrende MOSFET 2 × s. 67
V 0104 Grundlæggende elektronikkredsløb Håndbog · 243 sider 1 forsøg

Nævnt i 1 forsøg Se indholdsfortegnelse

  1. 4.2.3 Switch-mode-spændingsregulator 1 × s. 92