0
Tranzistor MOSFET

Typ 9118.11

Tranzistor MOSFET

Zásuvný tranzistor MOSFET (-40 V / -50 mA) s vývodom hradla vľavo, v priehľadnom plastovom puzdre.

Opis

zásuvný, v nerozbitnom priehľadnom plastovom puzdre, s tromi pozlátenými lamelovými kolíkmi

Schematická značka je natlačená bielou farbou na hornej strane puzdra.

Technické údaje

  • Napätie drain – source: UDS = -40 V
  • Napätie drain – hradlo: UDG = -40 V
  • Prúd drainu: ID = -50 mA
  • Celkový stratový výkon: Ptot = 375 mW
  • Vývod hradla: vľavo
  • Usporiadanie kolíkov v rastri 19 mm
  • Priemer kolíkov: 4 mm
  • Rozmery puzdra: 38 x 57 x 35 mm (Š x H x V)
Späť na prehľad Strana katalógu 12 (PDF, v nemčine)

Údaje pochádzajú z obsahov príručiek pokusov hps (názvy, čísla a strany). Všetky príručky sú v nemčine; názvy sú preložené, pôvodný nemecký názov sa zobrazí po prejdení myšou. Všetky príručky a pokusy

V 0103 Polovodičové súčiastky Príručka · 168 s. 2 pokusy

Uvedené v 2 pokusoch Zobraziť obsah

  1. 6.1 Riadiaci účinok hradla pri obohacovanom tranzistore MOSFET 1 × s. 63
  2. 6.2 Výstupné charakteristiky obohacovaného tranzistora MOSFET 2 × s. 67
V 0104 Základné zapojenia elektroniky Príručka · 243 s. 1 pokus

Uvedené v 1 pokuse Zobraziť obsah

  1. 4.2.3 Spínaný regulátor napätia 1 × s. 92