0
MOS-fälteffekttransistor

Typ 9118.11

MOS-fälteffekttransistor

Insticksbar MOS-fälteffekttransistor (-40 V / -50 mA) med gateanslutning till vänster i genomskinlig plastkapsling.

Beskrivning

insticksbar, i en okrossbar, genomskinlig plastkapsling, med tre förgyllda lamellkontakter

Kretssymbolen är tryckt i vitt på kapslingens ovansida.

Tekniska data

  • Drain-sourcespänning: UDS = -40 V
  • Drain-gatespänning: UDG = -40 V
  • Drainström: ID = -50 mA
  • Total förlusteffekt: Ptot = 375 mW
  • Gateanslutning: vänster
  • Kontakter placerade med 19 mm delning
  • Kontaktdiameter: 4 mm
  • Kapslingens mått: 38 x 57 x 35 mm (B x D x H)
Tillbaka till översikten Katalogsida 12 (PDF på tyska)

Uppgifterna är hämtade från innehållsförteckningarna i hps laborationshandböcker (titlar, nummer och sidor). Alla handböcker är på tyska; titlarna är översatta, och den ursprungliga tyska titeln visas när du håller muspekaren över dem. Alla handböcker och laborationer

V 0103 Halvledarkomponenter Handbok · 168 sidor 2 laborationer

Nämnd i 2 laborationer Visa innehållsförteckningen

  1. 6.1 Gatens styrverkan hos MOSFET av anrikningstyp 1 × s. 63
  2. 6.2 Utgångskarakteristikor för MOSFET av anrikningstyp 2 × s. 67
V 0104 Grundläggande elektronikkretsar Handbok · 243 sidor 1 laboration

Nämnd i 1 laboration Visa innehållsförteckningen

  1. 4.2.3 Switchad spänningsregulator 1 × s. 92