0
Τρανζίστορ MOSFET

Τύπος 9118.11

Τρανζίστορ MOSFET

Βυσματούμενο τρανζίστορ επίδρασης πεδίου MOS (-40 V / -50 mA) με ακροδέκτη πύλης αριστερά σε διαφανές πλαστικό περίβλημα.

Περιγραφή

βυσματούμενο, σε άθραυστο διαφανές πλαστικό περίβλημα, με τρία επιχρυσωμένα βύσματα με ελάσματα

Το ηλεκτρολογικό σύμβολο είναι τυπωμένο με λευκό χρώμα στην επάνω πλευρά του περιβλήματος.

Τεχνικά στοιχεία

  • Τάση υποδοχής-πηγής (drain-source): UDS = -40 V
  • Τάση υποδοχής-πύλης (drain-gate): UDG = -40 V
  • Ρεύμα υποδοχής (drain): ID = -50 mA
  • Συνολική ισχύς απωλειών: Ptot = 375 mW
  • Ακροδέκτης πύλης: αριστερά
  • Διάταξη βυσμάτων με βήμα 19 mm
  • Διάμετρος βύσματος: 4 mm
  • Διαστάσεις περιβλήματος: 38 x 57 x 35 mm (Π x Β x Υ)
Επιστροφή στην επισκόπηση Σελίδα καταλόγου 12 (PDF, στα γερμανικά)

Τα στοιχεία προέρχονται από τους πίνακες περιεχομένων των εγχειριδίων πειραμάτων της hps (τίτλοι, αριθμοί και σελίδες). Όλα τα εγχειρίδια είναι στα γερμανικά. Οι τίτλοι είναι μεταφρασμένοι και ο πρωτότυπος γερμανικός τίτλος εμφανίζεται όταν περνάτε τον δείκτη από πάνω. Όλα τα εγχειρίδια και τα πειράματα

V 0103 Ημιαγωγικά εξαρτήματα Εγχειρίδιο · 168 σελίδες 2 πειράματα

Αναφέρεται σε 2 πειράματα Προβολή πίνακα περιεχομένων

  1. 6.1 Δράση ελέγχου της πύλης στο MOSFET πύκνωσης (κανονικά αποκομμένο) 1 × σελ. 63
  2. 6.2 Χαρακτηριστικές καμπύλες εξόδου του MOSFET πύκνωσης (κανονικά αποκομμένου) 2 × σελ. 67
V 0104 Βασικά κυκλώματα ηλεκτρονικής Εγχειρίδιο · 243 σελίδες 1 πείραμα

Αναφέρεται σε 1 πείραμα Προβολή πίνακα περιεχομένων

  1. 4.2.3 Διακοπτικός ρυθμιστής τάσης 1 × σελ. 92