Típus 9118.11
MOS térvezérlésű tranzisztor (MOSFET)
Dugaszolható MOS térvezérlésű tranzisztor (-40 V / -50 mA) bal oldali gate-csatlakozással, átlátszó műanyag házban.
Leírás
dugaszolható, törhetetlen átlátszó műanyag házban, három aranyozott lamellás dugóval
A rajzjel fehér színnel a ház tetejére van nyomtatva.
Műszaki adatok
- Drain-source feszültség: UDS = -40 V
- Drain-gate feszültség: UDG = -40 V
- Draináram: ID = -50 mA
- Teljes disszipált teljesítmény: Ptot = 375 mW
- Gate-csatlakozás: bal oldalon
- Dugóelrendezés 19 mm-es raszterben
- Dugóátmérő: 4 mm
- Házméretek: 38 x 57 x 35 mm (Sz x Mé x Ma)
Az adatok a hps kísérleti kézikönyvek tartalomjegyzékeiből származnak (címek, számok és oldalak). Minden kézikönyv német nyelvű; a címek le vannak fordítva, az eredeti német cím az egérmutató ráhúzásakor jelenik meg. Az összes kézikönyv és kísérlet
V 0103 Félvezető alkatrészek Kézikönyv · 168 oldal 2 kísérlet
2 kísérletben említve Tartalomjegyzék megtekintése
- 6.1 A gate vezérlőhatása növekményes MOSFET-nél 1 × 63. old.
- 6.2 A növekményes MOSFET kimeneti jelleggörbéi 2 × 67. old.
Egyetlen kísérlet sem felel meg a szűrőnek.
V 0104 Az elektronika alapkapcsolásai Kézikönyv · 243 oldal 1 kísérlet
1 kísérletben említve Tartalomjegyzék megtekintése
- 4.2.3 Kapcsolóüzemű feszültségszabályozó 1 × 92. old.
Egyetlen kísérlet sem felel meg a szűrőnek.