Tipo 9118.11

Transistor de efecto de campo MOS

Transistor de efecto de campo MOS enchufable (-40 V / -50 mA) con conexión de puerta a la izquierda en carcasa de plástico transparente.

Descripción

enchufable, en carcasa de plástico transparente irrompible, con tres clavijas de láminas doradas

El símbolo eléctrico está impreso en blanco en la parte superior de la carcasa.

Datos técnicos

Tensión drenador-fuente: UDS = -40 V
Tensión drenador-puerta: UDG = -40 V
Corriente de drenador: ID = -50 mA
Potencia de disipación total: Ptot = 375 mW
Conexión de puerta: izquierda
Disposición de las clavijas con paso de 19 mm
Diámetro de las clavijas: 4 mm
Dimensiones de la carcasa: 38 x 57 x 35 mm (An x P x Al)

Volver a la vista general Página 12 del catálogo (PDF, en alemán)

Los datos proceden de los índices de los manuales de prácticas de hps (títulos, números y páginas). Todos los manuales están en alemán; los títulos están traducidos y el título original en alemán aparece al pasar el cursor por encima. Todos los manuales y prácticas

V 0103 Componentes semiconductores Manual · 168 páginas 2 prácticas

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6.1 Efecto de control de la puerta en el MOS-FET de enriquecimiento 1 × pág. 63
6.2 Curvas características de salida del MOS-FET de enriquecimiento 2 × pág. 67

V 0104 Circuitos básicos de electrónica Manual · 243 páginas 1 práctica

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4.2.3 Regulador de tensión conmutado 1 × pág. 92