Manual V 0103 · Electrotecnia

Componentes semiconductores

Halbleiterbauelemente

  • 26 prácticas
  • Manual · 168 páginas
  • Edición 4

Manual en alemán. Los títulos están traducidos; debajo de cada uno figura el título original en alemán tal como aparece impreso en el manual.

indica las prácticas. Los componentes y equipos de cada práctica pueden desplegarse.

  1. Parte principal

  2. 1 Diodos rectificadores Gleichrichterdioden pág. 1
  3. 1.1 Práctica: Efecto de la unión PN en los diodos Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden pág. 1
    2 componentes / equipos
  4. 1.2 Práctica: Representación de las curvas características de diodos de distintos materiales semiconductores Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe pág. 3
    3 componentes / equipos
  5. 1.3 Práctica: Circuito de punto medio de un pulso M1 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 pág. 5
    4 componentes / equipos
  6. 1.4 Práctica: Puente de dos pulsos B2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 pág. 8
    4 componentes / equipos
  7. 2 Diodos Zener Z-Dioden pág. 11
  8. 2.1 Práctica: Curvas características directa e inversa de los diodos Zener Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden pág. 11
    2 componentes / equipos
  9. 2.2 Práctica: Limitación de tensión continua con diodos Zener Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden pág. 13
    3 componentes / equipos
  10. 2.3 Práctica: Conexión en serie y en antiserie de diodos Zener Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden pág. 19
    3 componentes / equipos
  11. 2.4 Práctica: Limitación de tensión alterna y protección contra sobretensiones con diodos Zener Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden pág. 21
    3 componentes / equipos
  12. 2.5 Práctica: Estabilización de tensión con diodos Zener Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden pág. 25
    4 componentes / equipos
  13. 3 Práctica: Diodos luminosos (LED) Leuchtdioden pág. 27
    2 componentes / equipos
  14. 4 Transistores bipolares Bipolare Transistoren pág. 31
  15. 4.1 Práctica: Comprobación de la estructura de capas y del comportamiento rectificador de transistores bipolares Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren pág. 31
    3 componentes / equipos
  16. 4.2 Práctica: Distribución de corrientes en el transistor y efecto de control de la corriente de base Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms pág. 35
    3 componentes / equipos
  17. 4.3 Práctica: Las curvas características del transistor Die Kennlinien des Transistors pág. 39
    3 componentes / equipos
  18. 4.4 Práctica: Influencia de la resistencia de carga en las propiedades del transistor Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften pág. 44
    4 componentes / equipos
  19. 5 Transistores unipolares (transistores de efecto de campo de unión) Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) pág. 49
  20. 5.1 Práctica: Comprobación de la estructura de capas y del comportamiento rectificador de los FET Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs pág. 49
    3 componentes / equipos
  21. 5.2 Práctica: Curva característica directa de las uniones PN de la puerta en los FET Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs pág. 51
    3 componentes / equipos
  22. 5.3 Práctica: Efecto de control de la puerta en el FET de canal N Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET pág. 53
    3 componentes / equipos
  23. 5.4 Práctica: Curvas características de salida del FET Ausgangskennlinien des FETs pág. 56
    3 componentes / equipos
  24. 6 MOS-FET (IG-FET) pág. 63
  25. 6.1 Práctica: Efecto de control de la puerta en el MOS-FET de enriquecimiento Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET pág. 63
    3 componentes / equipos
  26. 6.2 Práctica: Curvas características de salida del MOS-FET de enriquecimiento Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs pág. 67
    3 componentes / equipos
  27. 7 Transistor de unijuntura (UJT) Unijunction-Transistor (UJT) pág. 73
  28. 7.1 Práctica: Comprobación del tramo entre bases en el transistor de unijuntura Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor pág. 73
    2 componentes / equipos
  29. 7.2 Práctica: Curvas características de conmutación del transistor de unijuntura Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors pág. 75
    3 componentes / equipos
  30. 7.3 Práctica: Curvas características de control del transistor de unijuntura Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors pág. 78
    3 componentes / equipos
  31. 8 Tiristores Thyristoren pág. 81
  32. 8.1 Práctica: Diodo tiristor (DIAC) Thyristordiode (DIAC) pág. 81
    3 componentes / equipos
  33. 8.2 Práctica: Triodo tiristor (tiristor) Thyristortriode (Thyristor) pág. 84
    6 componentes / equipos
  34. 8.3 Práctica: Tiristor bidireccional (TRIAC) Zweirichtungsthyristor (TRIAC) pág. 89
    4 componentes / equipos
  35. Soluciones

  36. Soluciones L 1 Lösungen L 1 L 56
  37. Anexo

  38. Anexo Anhang A 1
  39. Abreviaturas y símbolos utilizados Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
  40. Relación de los componentes enchufables Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
  41. Fuentes de alimentación e instrumentos de medida necesarios Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5
  42. Transparencias

  43. Transparencia Folie
  44. ELECTRONIC BOARD (tipo 1018) ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

Solo se muestra el índice (títulos, números y páginas). El manual completo se suministra con el sistema didáctico. Las cantidades proceden de la relación de componentes del manual.