Vadovas V 0103 · Elektrotechnika

Puslaidininkiniai komponentai

Halbleiterbauelemente

  • 26 eksperimentai
  • Vadovas · 168 puslapiai
  • Leidimas 4

Vadovas vokiečių kalba. Pavadinimai išversti; po kiekvienu iš jų pateikiamas originalus vokiškas pavadinimas, kaip jis išspausdintas vadove.

žymi eksperimentus. Kiekvieno eksperimento komponentų ir prietaisų sąrašą galima išskleisti.

  1. Pagrindinė dalis

  2. 1 Lygintuviniai diodai Gleichrichterdioden 1 psl.
  3. 1.1 Eksperimentas: PN sandūros veikimas dioduose Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden 1 psl.
    2 komponentai / prietaisai
  4. 1.2 Eksperimentas: Skirtingų puslaidininkinių medžiagų diodų charakteristikų vaizdavimas Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe 3 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  5. 1.3 Eksperimentas: Vienpulsė schema su vidurio tašku M1 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 5 psl.
    4 komponentai / prietaisai
  6. 1.4 Eksperimentas: Dvipulsė tiltelinė schema B2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 8 psl.
    4 komponentai / prietaisai
  7. 2 Stabilitronai Z-Dioden 11 psl.
  8. 2.1 Eksperimentas: Stabilitronų tiesioginė ir atgalinė charakteristikos Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden 11 psl.
    2 komponentai / prietaisai
  9. 2.2 Eksperimentas: Nuolatinės įtampos ribojimas stabilitronais Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 13 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  10. 2.3 Eksperimentas: Nuoseklusis ir priešpriešinis stabilitronų jungimas Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden 19 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  11. 2.4 Eksperimentas: Kintamosios įtampos ribojimas ir apsauga nuo viršįtampių stabilitronais Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden 21 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  12. 2.5 Eksperimentas: Įtampos stabilizavimas stabilitronais Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden 25 psl.
    4 komponentai / prietaisai
  13. 3 Eksperimentas: Šviesos diodai Leuchtdioden 27 psl.
    2 komponentai / prietaisai
  14. 4 Dvipoliai tranzistoriai Bipolare Transistoren 31 psl.
  15. 4.1 Eksperimentas: Dvipolių tranzistorių sluoksnių sandaros ir lyginimo savybių tikrinimas Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 31 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  16. 4.2 Eksperimentas: Srovių pasiskirstymas tranzistoriuje ir bazės srovės valdomasis poveikis Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 35 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  17. 4.3 Eksperimentas: Tranzistoriaus charakteristikos Die Kennlinien des Transistors 39 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  18. 4.4 Eksperimentas: Apkrovos rezistoriaus įtaka tranzistoriaus savybėms Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 44 psl.
    4 komponentai / prietaisai
  19. 5 Vienpoliai tranzistoriai (sandūriniai lauko tranzistoriai) Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) 49 psl.
  20. 5.1 Eksperimentas: Lauko tranzistorių sluoksnių sandaros ir lyginimo savybių tikrinimas Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs 49 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  21. 5.2 Eksperimentas: Lauko tranzistorių užtūros PN sandūrų tiesioginė charakteristika Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs 51 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  22. 5.3 Eksperimentas: Užtūros valdomasis poveikis N kanalo lauko tranzistoriuje Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET 53 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  23. 5.4 Eksperimentas: Lauko tranzistoriaus išėjimo charakteristikos Ausgangskennlinien des FETs 56 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  24. 6 MOS-FET (IG-FET) 63 psl.
  25. 6.1 Eksperimentas: Užtūros valdomasis poveikis indukuoto kanalo MOS-FET tranzistoriuje Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET 63 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  26. 6.2 Eksperimentas: Indukuoto kanalo MOS-FET tranzistoriaus išėjimo charakteristikos Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs 67 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  27. 7 Vienasandūris tranzistorius (UJT) Unijunction-Transistor (UJT) 73 psl.
  28. 7.1 Eksperimentas: Vienasandūrio tranzistoriaus tarpbazinės srities tikrinimas Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor 73 psl.
    2 komponentai / prietaisai
  29. 7.2 Eksperimentas: Vienasandūrio tranzistoriaus perjungimo charakteristikos Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors 75 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  30. 7.3 Eksperimentas: Vienasandūrio tranzistoriaus valdymo charakteristikos Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors 78 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  31. 8 Tiristoriai Thyristoren 81 psl.
  32. 8.1 Eksperimentas: Tiristorinis diodas (DIAC) Thyristordiode (DIAC) 81 psl.
    3 komponentai / prietaisai
  33. 8.2 Eksperimentas: Tiristorinis triodas (tiristorius) Thyristortriode (Thyristor) 84 psl.
    6 komponentai / prietaisai
  34. 8.3 Eksperimentas: Simetrinis tiristorius (TRIAC) Zweirichtungsthyristor (TRIAC) 89 psl.
    4 komponentai / prietaisai
  35. Sprendimų dalis

  36. Sprendimai L 1 Lösungen L 1 L 56
  37. Priedas

  38. Priedas Anhang A 1
  39. Naudojamos santrumpos ir dydžių žymenys Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
  40. Kištukinių komponentų sąrašas Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
  41. Reikalingi maitinimo šaltiniai ir matavimo prietaisai Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5
  42. Skaidrės

  43. Skaidrė Folie
  44. ELECTRONIC BOARD (tipas 1018) ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

Rodomas tik turinys (pavadinimai, numeriai, puslapiai). Vadovas visa apimtimi tiekiamas kartu su mokomąja sistema. Kiekiai nurodyti pagal vadovo komponentų sąrašą.