Manwal V 0103 · Inġinerija elettrika

Komponenti semikondutturi

Halbleiterbauelemente

  • 26 esperiment
  • Manwal · 168 paġna
  • Edizzjoni 4

Manwal bil-Ġermaniż. It-titoli huma tradotti; taħt kull wieħed minnhom jidher it-titolu oriġinali bil-Ġermaniż kif inhu stampat fil-manwal.

jimmarka l-esperimenti. Il-komponenti u l-apparati ta' kull esperiment jistgħu jinfetħu.

  1. Parti prinċipali

  2. 1 Dijodi rettifikaturi Gleichrichterdioden paġ. 1
  3. 1.1 Esperiment: L-effett tal-junction PN fid-dijodi Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden paġ. 1
    2 komponenti / apparati
  4. 1.2 Esperiment: Rappreżentazzjoni tal-kurvi karatteristiċi ta' dijodi minn materjali semikondutturi differenti Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe paġ. 3
    3 komponenti / apparati
  5. 1.3 Esperiment: Ċirkwit tal-punt tan-nofs b'impuls wieħed M1 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 paġ. 5
    4 komponenti / apparati
  6. 1.4 Esperiment: Ċirkwit tal-pont b'żewġ impulsi B2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 paġ. 8
    4 komponenti / apparati
  7. 2 Dijodi Zener Z-Dioden paġ. 11
  8. 2.1 Esperiment: Kurva karatteristika diretta u inversa tad-dijodi Zener Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden paġ. 11
    2 komponenti / apparati
  9. 2.2 Esperiment: Limitazzjoni tal-vultaġġ DC b'dijodi Zener Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden paġ. 13
    3 komponenti / apparati
  10. 2.3 Esperiment: Konnessjoni f'serje u konnessjoni kontra xulxin ta' dijodi Zener Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden paġ. 19
    3 komponenti / apparati
  11. 2.4 Esperiment: Limitazzjoni tal-vultaġġ AC u protezzjoni kontra vultaġġ żejjed b'dijodi Zener Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden paġ. 21
    3 komponenti / apparati
  12. 2.5 Esperiment: Stabbilizzazzjoni tal-vultaġġ b'dijodi Zener Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden paġ. 25
    4 komponenti / apparati
  13. 3 Esperiment: LEDs (dijodi li jarmu d-dawl) Leuchtdioden paġ. 27
    2 komponenti / apparati
  14. 4 Transistors bipolari Bipolare Transistoren paġ. 31
  15. 4.1 Esperiment: Verifika tas-saffi u tal-imġiba ta' rettifikatur tat-transistors bipolari Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren paġ. 31
    3 komponenti / apparati
  16. 4.2 Esperiment: Distribuzzjoni tal-kurrent fit-transistor u l-effett tal-kontroll tal-kurrent tal-bażi Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms paġ. 35
    3 komponenti / apparati
  17. 4.3 Esperiment: Il-kurvi karatteristiċi tat-transistor Die Kennlinien des Transistors paġ. 39
    3 komponenti / apparati
  18. 4.4 Esperiment: L-influwenza tar-reżistenza tat-tagħbija fuq il-karatteristiċi tat-transistor Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften paġ. 44
    4 komponenti / apparati
  19. 5 Transistors unipolari (transistors b'effett ta' kamp tal-junction) Unipolare Transistoren (Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren) paġ. 49
  20. 5.1 Esperiment: Verifika tas-saffi u tal-imġiba ta' rettifikatur tal-FETs Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs paġ. 49
    3 komponenti / apparati
  21. 5.2 Esperiment: Kurva karatteristika diretta tal-junctions PN tal-gate fil-FETs Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs paġ. 51
    3 komponenti / apparati
  22. 5.3 Esperiment: L-effett tal-kontroll tal-gate fil-FET b'kanal N Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET paġ. 53
    3 komponenti / apparati
  23. 5.4 Esperiment: Kurvi karatteristiċi tal-output tal-FET Ausgangskennlinien des FETs paġ. 56
    3 komponenti / apparati
  24. 6 MOSFET (IGFET) MOS-FET (IG-FET) paġ. 63
  25. 6.1 Esperiment: L-effett tal-kontroll tal-gate fil-MOSFET tat-tip enhancement Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET paġ. 63
    3 komponenti / apparati
  26. 6.2 Esperiment: Kurvi karatteristiċi tal-output tal-MOSFET tat-tip enhancement Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs paġ. 67
    3 komponenti / apparati
  27. 7 Transistor unijunction (UJT) Unijunction-Transistor (UJT) paġ. 73
  28. 7.1 Esperiment: Verifika tal-medda bejn il-bażijiet fit-transistor unijunction Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor paġ. 73
    2 komponenti / apparati
  29. 7.2 Esperiment: Kurvi karatteristiċi tal-iswiċċjar tat-transistor unijunction Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors paġ. 75
    3 komponenti / apparati
  30. 7.3 Esperiment: Kurvi karatteristiċi tal-kontroll tat-transistor unijunction Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors paġ. 78
    3 komponenti / apparati
  31. 8 Tiristors Thyristoren paġ. 81
  32. 8.1 Esperiment: Dijodu tiristor (DIAC) Thyristordiode (DIAC) paġ. 81
    3 komponenti / apparati
  33. 8.2 Esperiment: Triodu tiristor (tiristor) Thyristortriode (Thyristor) paġ. 84
    6 komponenti / apparati
  34. 8.3 Esperiment: Tiristor bidirezzjonali (TRIAC) Zweirichtungsthyristor (TRIAC) paġ. 89
    4 komponenti / apparati
  35. Taqsima tas-soluzzjonijiet

  36. Soluzzjonijiet L 1 Lösungen L 1 L 56
  37. Appendiċi

  38. Appendiċi Anhang A 1
  39. Abbrevjazzjonijiet u simboli tal-formuli użati Verwendete Kurz- und Formelzeichen A 1
  40. Lista tal-komponenti plug-in Zusammenstellung der steckbaren Bauelemente A 3
  41. Provvisti tal-vultaġġ u strumenti tal-kejl meħtieġa Erforderliche Spannungsversorgungen und Messgeräte A 5
  42. Trasparenzi

  43. Trasparenza Folie
  44. ELECTRONIC BOARD (Tip 1018) ELECTRONIC BOARD (Typ 1018)

Jintwera biss il-werrej (titoli, numri, paġni). Il-manwal sħiħ jiġi fornut flimkien mas-sistema ta' taħriġ. Il-kwantitajiet huma meħuda mil-lista tal-komponenti tal-manwal.