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Transistor MOS a effetto di campo

Tipo 9118.11

Transistor MOS a effetto di campo

Transistor MOS a effetto di campo a innesto (-40 V / -50 mA) con connessione di gate a sinistra, in contenitore in plastica trasparente.

Descrizione

a innesto, in contenitore in plastica trasparente infrangibile, con tre spinotti a lamelle dorati

Il simbolo grafico è stampato in bianco sul lato superiore del contenitore.

Dati tecnici

  • Tensione drain-source: UDS = -40 V
  • Tensione drain-gate: UDG = -40 V
  • Corrente di drain: ID = -50 mA
  • Potenza dissipata totale: Ptot = 375 mW
  • Connessione di gate: a sinistra
  • Disposizione delle spine con passo di 19 mm
  • Diametro delle spine: 4 mm
  • Dimensioni del contenitore: 38 x 57 x 35 mm (L x P x A)
Torna alla panoramica Pagina di catalogo 12 (PDF, in tedesco)

I dati sono tratti dagli indici dei manuali di esercitazioni hps (titoli, numeri e pagine). Tutti i manuali sono in lingua tedesca; i titoli sono tradotti e il titolo originale tedesco compare passandoci sopra con il mouse. Tutti i manuali e le esercitazioni

V 0103 Componenti a semiconduttore Manuale · 168 pagine 2 esercitazioni

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  1. 6.1 Effetto di comando del gate nel MOS-FET ad arricchimento 1 × pag. 63
  2. 6.2 Caratteristiche di uscita del MOS-FET ad arricchimento 2 × pag. 67
V 0104 Circuiti fondamentali dell’elettronica Manuale · 243 pagine 1 esercitazione

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  1. 4.2.3 Regolatore di tensione a commutazione 1 × pag. 92