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Transistors

Type 9118 ...

Transistors

Transistors PNP et NPN enfichables avec connexion de base à gauche ou à droite, en boîtier en plastique transparent.

Description

enfichables, en boîtier en plastique transparent incassable, avec trois fiches à lamelles dorées

Le symbole graphique est imprimé en blanc sur la face supérieure du boîtier.

Les transistors sont disponibles avec connexion de base à gauche ou à droite (sauf type 9118.1).

Les types 9117.3 et 9117.31 signalés par un astérisque sont montés dans un boîtier en alliage léger revêtu par lit fluidisé (55 x 54 x 36 mm).

Caractéristiques techniques

  • Disposition des fiches au pas de 19 mm
  • Diamètre des fiches : 4 mm
  • Dimensions du boîtier : 38 x 57 x 35 mm (l x P x H)

Types individuels

Nature Connexion de base UCE0 UEB0 UCB0 IC Ptot Type
PNP à gauche -24 V -10 V -32 V -200 mA 0,9 W 9118.1
PNP à gauche -20 V -5 V -20 V -100 mA 0,3 W 9118.4
PNP à droite -20 V -5 V -20 V -100 mA 0,3 W 9118.12
PNP à gauche -40 V -5 V -40 V -1 A 3,2 W 9118.7
PNP à droite -40 V -5 V -40 V -1 A 3,2 W 9118.10
NPN à gauche 20 V 6 V 50 V 100 mA 0,5 W 9118.2
NPN à droite 20 V 6 V 50 V 100 mA 0,5 W 9118.3
NPN à gauche 40 V 7 V 80 V 1 A 3,7 W 9118.5
NPN à droite 40 V 7 V 80 V 1 A 3,7 W 9118.6
NPN à gauche 60 V 7 V 90 V 15 A 12 W 9117.3 *
NPN à droite 60 V 7 V 90 V 15 A 12 W 9117.31 *
NPN, avec résistance de base (180 Ω / 2 W) à gauche 40 V 15 V 80 V 1 A 3,7 W 9118.15

UCE0 = tension collecteur-émetteur, UEB0 = tension émetteur-base, UCB0 = tension collecteur-base, IC = courant de collecteur, Ptot = puissance dissipée totale

* boîtier en alliage léger revêtu par lit fluidisé

Remarque

Pour des raisons de protection contre les contacts directs, les composants ne doivent être utilisés que jusqu’à la très basse tension de sécurité (TBTS) maximale admissible.

Retour à la vue d’ensemble Page de catalogue 11 (PDF, en allemand)

Numéros de type tels qu’ils figurent dans les listes de composants et les expériences des manuels hps. La page détaillée de chaque type indique les expériences dans lesquelles il est utilisé. Mise à jour : 2026-09-06

Type Description Expériences Manuels
9118.2 20 V / 100 mA · NPN 29 V 0103 V 0104 V 0105
9118.5 40 V / 1 A 17 V 0104
9118.6 40 V / 1 A 10 V 0104
9118.7 40 V / 1 A · PNP 5 V 0103 V 0104
9118.15 NPN, avec résistance de base (180 Ω / 2 W) · à gauche · 40 V · 15 V · 80 V · 1 A · 3,7 W V 0106

Ces informations proviennent des sommaires des manuels d’expériences hps (titres, numéros et pages). Tous les manuels sont en allemand ; les titres sont traduits, le titre original allemand s’affiche au survol. Tous les manuels et expériences

V 0103 Composants à semi-conducteurs Manuel · 168 pages 4 expériences

Cité dans 4 expériences Désigné dans le manuel par 9118.7, 9118.2 Voir le sommaire

  1. 4.1 Contrôle de la structure des couches et du comportement redresseur des transistors bipolaires 1 × p. 31
  2. 4.2 Répartition des courants dans le transistor et effet de commande du courant de base 2 × p. 35
  3. 4.3 Les caractéristiques du transistor 4 × p. 39
  4. 4.4 Influence de la résistance de charge sur les propriétés du transistor 1 × p. 44
V 0104 Montages de base de l’électronique Manuel · 243 pages 27 expériences

Cité dans 27 expériences Désigné dans le manuel par 9118.2, 9118.5, 9118.6, 9118.7 Voir le sommaire

  1. 1.1 Montages amplificateurs de base à transistors bipolaires 3 × p. 1
  2. 1.3.1 Amplificateur de tension alternative à deux étages 1 × p. 11
  3. 1.3.2 Amplificateur Darlington 2 × p. 15
  4. 1.3.3 Amplificateur à couplage par l’émetteur 1 × p. 18
  5. 1.3.4 Étages déphaseurs 1 × p. 21
  6. 1.3.5 Amplificateur différentiel 2 × p. 25
  7. 1.3.6 Amplificateur de tension continue à deux étages à transistors complémentaires 2 × p. 29
  8. 1.4 Amplificateur de sortie push-pull 1 × p. 33
  9. 1.5.1 Contre-réaction 3 × p. 37
  10. 1.5.2 Réaction positive 1 × p. 43
  11. 2.1.1 Détecteur de seuil (trigger de Schmitt) 2 × p. 48
  12. 2.1.2 Multivibrateur astable 1 × p. 52
  13. 2.1.3 Multivibrateur monostable 1 × p. 54
  14. 2.1.4 Bascule bistable (flip-flop) 2 × p. 56
  15. 2.3.1 Générateur sinusoïdal à circuit RC 1 × p. 61
  16. 2.3.2 Générateur sinusoïdal à circuit LC 1 × p. 63
  17. 3.2 Modulateur de fréquence 1 × p. 70
  18. 4.2.1 Régulateur de tension (linéaire) 1 × p. 87
  19. 4.2.2 Régulateur de courant 1 × p. 89
  20. 4.2.3 Régulateur de tension à découpage 1 × p. 92
  21. 4.3 Convertisseur continu-continu 2 × p. 96
  22. 5.1.1 Commande par angle de phase avec effet redresseur 1 × p. 99
  23. 5.1.2 Commande par angle de phase sans effet redresseur 1 × p. 104
  24. 5.3 Commande par trains d’ondes entières avec interrupteur au zéro de tension 2 × p. 111
  25. 6.3 Opérateur NON 1 × p. 124
  26. 6.4 Opérateur NON-ET 2 × p. 126
  27. 6.5 Opérateur NON-OU 2 × p. 129
V 0105 Expériences de base en électrotechnique et électronique Manuel · 274 pages 8 expériences

Cité dans 8 expériences Désigné dans le manuel par 9118.2 Voir le sommaire

  1. 18.1 Contrôle de la structure des couches et du comportement redresseur des transistors bipolaires 1 × p. 183
  2. 18.2 Répartition des courants dans le transistor et effet de commande du courant de base 2 × p. 187
  3. 18.3 Les caractéristiques du transistor 4 × p. 191
  4. 18.4 Influence de la résistance de charge sur les propriétés du transistor 1 × p. 196
  5. 18.5 Montages amplificateurs de base à transistors bipolaires 3 × p. 201
  6. 18.6 Régulateur de courant à transistor 1 × p. 206
  7. 18.7 Étage déphaseur à transistor 1 × p. 209
  8. 18.8 Générateur sinusoïdal à circuit RC 1 × p. 211