Tipo 9118 ...
Transistor
Transistor PNP e NPN a innesto con connessione di base a sinistra o a destra, in contenitore in plastica trasparente.
Descrizione
a innesto, in contenitore in plastica trasparente infrangibile, con tre spinotti a lamelle dorati
Il simbolo grafico è stampato in bianco sul lato superiore del contenitore.
I transistor sono disponibili con connessione di base a sinistra o con connessione di base a destra (escluso il tipo 9118.1).
I tipi 9117.3 e 9117.31 contrassegnati con un asterisco sono montati in un contenitore in lega leggera con rivestimento a letto fluido (55 x 54 x 36 mm).
Dati tecnici
- Disposizione delle spine con passo di 19 mm
- Diametro delle spine: 4 mm
- Dimensioni del contenitore: 38 x 57 x 35 mm (L x P x A)
Tipi singoli
| Struttura | Connessione di base | UCE0 | UEB0 | UCB0 | IC | Ptot | Tipo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PNP | a sinistra | -24 V | -10 V | -32 V | -200 mA | 0,9 W | 9118.1 |
| PNP | a sinistra | -20 V | -5 V | -20 V | -100 mA | 0,3 W | 9118.4 |
| PNP | a destra | -20 V | -5 V | -20 V | -100 mA | 0,3 W | 9118.12 |
| PNP | a sinistra | -40 V | -5 V | -40 V | -1 A | 3,2 W | 9118.7 |
| PNP | a destra | -40 V | -5 V | -40 V | -1 A | 3,2 W | 9118.10 |
| NPN | a sinistra | 20 V | 6 V | 50 V | 100 mA | 0,5 W | 9118.2 |
| NPN | a destra | 20 V | 6 V | 50 V | 100 mA | 0,5 W | 9118.3 |
| NPN | a sinistra | 40 V | 7 V | 80 V | 1 A | 3,7 W | 9118.5 |
| NPN | a destra | 40 V | 7 V | 80 V | 1 A | 3,7 W | 9118.6 |
| NPN | a sinistra | 60 V | 7 V | 90 V | 15 A | 12 W | 9117.3 * |
| NPN | a destra | 60 V | 7 V | 90 V | 15 A | 12 W | 9117.31 * |
| NPN, con resistore di base in serie (180 Ω / 2 W) | a sinistra | 40 V | 15 V | 80 V | 1 A | 3,7 W | 9118.15 |
UCE0 = tensione collettore-emettitore, UEB0 = tensione emettitore-base, UCB0 = tensione collettore-base, IC = corrente di collettore, Ptot = potenza dissipata totale
* contenitore in lega leggera con rivestimento a letto fluido
Nota
Per garantire la protezione contro i contatti accidentali, i componenti possono essere utilizzati solo fino alla bassissima tensione di sicurezza (SELV) massima ammessa.
Numeri di tipo così come indicati negli elenchi componenti e nelle esercitazioni dei manuali hps. La pagina di dettaglio di ciascun tipo mostra le esercitazioni in cui viene utilizzato. Aggiornato al 2026-09-06
I dati sono tratti dagli indici dei manuali di esercitazioni hps (titoli, numeri e pagine). Tutti i manuali sono in lingua tedesca; i titoli sono tradotti e il titolo originale tedesco compare passandoci sopra con il mouse. Tutti i manuali e le esercitazioni
V 0103 Componenti a semiconduttore Manuale · 168 pagine 4 esercitazioni
Citato in 4 esercitazioni Indicato nel manuale come 9118.7, 9118.2 Visualizza indice
- 4.1 Verifica della struttura a strati e del comportamento raddrizzante dei transistor bipolari 1 × pag. 31
- 4.2 Distribuzione delle correnti nel transistor ed effetto di comando della corrente di base 2 × pag. 35
- 4.3 Le curve caratteristiche del transistor 4 × pag. 39
- 4.4 Influenza della resistenza di carico sulle proprietà del transistor 1 × pag. 44
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V 0104 Circuiti fondamentali dell’elettronica Manuale · 243 pagine 27 esercitazioni
Citato in 27 esercitazioni Indicato nel manuale come 9118.2, 9118.5, 9118.6, 9118.7 Visualizza indice
- 1.1 Configurazioni fondamentali degli amplificatori con transistor bipolari 3 × pag. 1
- 1.3.1 Amplificatore di tensione alternata a due stadi 1 × pag. 11
- 1.3.2 Amplificatore Darlington 2 × pag. 15
- 1.3.3 Amplificatore ad accoppiamento di emettitore 1 × pag. 18
- 1.3.4 Stadi invertitori di fase 1 × pag. 21
- 1.3.5 Amplificatore differenziale 2 × pag. 25
- 1.3.6 Amplificatore di tensione continua a due stadi con transistor complementari 2 × pag. 29
- 1.4 Amplificatore finale in controfase 1 × pag. 33
- 1.5.1 Retroazione negativa 3 × pag. 37
- 1.5.2 Retroazione positiva 1 × pag. 43
- 2.1.1 Rivelatore di soglia (trigger di Schmitt) 2 × pag. 48
- 2.1.2 Multivibratore astabile 1 × pag. 52
- 2.1.3 Multivibratore monostabile 1 × pag. 54
- 2.1.4 Multivibratore bistabile (flip-flop) 2 × pag. 56
- 2.3.1 Generatore sinusoidale con rete RC 1 × pag. 61
- 2.3.2 Generatore sinusoidale con circuito LC 1 × pag. 63
- 3.2 Modulatore di frequenza 1 × pag. 70
- 4.2.1 Regolatore di tensione (lineare) 1 × pag. 87
- 4.2.2 Regolatore di corrente 1 × pag. 89
- 4.2.3 Regolatore di tensione a commutazione 1 × pag. 92
- 4.3 Convertitore di tensione continua 2 × pag. 96
- 5.1.1 Comando a parzializzazione di fase con effetto raddrizzante 1 × pag. 99
- 5.1.2 Comando a parzializzazione di fase senza effetto raddrizzante 1 × pag. 104
- 5.3 Comando a treni d’onda con interruttore a tensione zero 2 × pag. 111
- 6.3 Porta NOT 1 × pag. 124
- 6.4 Porta NAND 2 × pag. 126
- 6.5 Porta NOR 2 × pag. 129
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V 0105 Esercitazioni di base di elettrotecnica ed elettronica Manuale · 274 pagine 8 esercitazioni
Citato in 8 esercitazioni Indicato nel manuale come 9118.2 Visualizza indice
- 18.1 Verifica della struttura a strati e del comportamento raddrizzante dei transistor bipolari 1 × pag. 183
- 18.2 Distribuzione delle correnti nel transistor ed effetto di comando della corrente di base 2 × pag. 187
- 18.3 Le curve caratteristiche del transistor 4 × pag. 191
- 18.4 Influenza della resistenza di carico sulle proprietà del transistor 1 × pag. 196
- 18.5 Configurazioni fondamentali degli amplificatori con transistor bipolari 3 × pag. 201
- 18.6 Regolatore di corrente con transistor 1 × pag. 206
- 18.7 Stadio invertitore di fase con transistor 1 × pag. 209
- 18.8 Generatore sinusoidale con rete RC 1 × pag. 211
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