0
Potentiometre

Type 9108 ...

Potentiometre

Stikbare potentiometre fra 100 Ω til 1 MΩ med drejeknap og skala, belastningsevne 0,5 W.

Beskrivelse

stikbar, i et brudsikkert, gennemsigtigt plasthus med tre forgyldte lamelstik, drejeknap med skalainddeling 0 ... 10 på husets overside

Tekniske data

  • Stik placeret i 19 mm-raster
  • Stikdiameter: 4 mm
  • Modstandstolerance: +/- 20 %
  • Belastningsevne: 0,5 W
  • Husets mål: 38 x 57 x 35 mm (B x D x H)

Enkelttyper

Værdi Udførelse Type
100 Ω 9108.1-1
220 Ω 9108.1-2
470 Ω 9108.1-3
1,0 kΩ 9108.2-1
4,7 kΩ 9108.2-2
10 kΩ 9108.2-3
22 kΩ 9108.2-4
47 kΩ 9108.2-5
100 kΩ 9108.2-6
500 kΩ 9108.2-7
1,0 MΩ 9108.3-1
100 kΩ logaritmisk, 0,25 W 9108.4-1
Tilbage til oversigten Katalogside 4 (PDF på tysk)

Typenumre, som de er angivet i komponentoversigterne og forsøgene i hps’ håndbøger. Detaljesiden for hver type viser de forsøg, hvor typen bruges. Opdateret 2026-09-06

Type Beskrivelse Forsøg Håndbøger
9108.2-1 1 kΩ (0,4 W) 60 V 0101 V 0103 V 0104 V 0105
9108.2-3 10 kΩ 17 V 0103 V 0104

Oplysningerne stammer fra indholdsfortegnelserne i hps’ forsøgshåndbøger (titler, numre og sider). Alle håndbøger er på tysk; titlerne er oversat, og den oprindelige tyske titel vises, når du holder musen over. Alle håndbøger og forsøg

V 0101 Jævnstrømsteknik Håndbog · 92 sider 3 forsøg

Nævnt i 3 forsøg I håndbogen betegnet som 9108.2-1 Se indholdsfortegnelse

  1. 4.6 Fotomodstand (LDR) 1 × s. 23
  2. 4.10 Ubelastet spændingsdeler 1 × s. 31
  3. 4.11 Belastet spændingsdeler 1 × s. 33
V 0103 Halvlederkomponenter Håndbog · 168 sider 17 forsøg

Nævnt i 17 forsøg I håndbogen betegnet som 9108.2-1, 9108.2-3 Se indholdsfortegnelse

  1. 2.2 Jævnspændingsbegrænsning med zenerdioder 1 × s. 13
  2. 2.4 Vekselspændingsbegrænsning og overspændingsbeskyttelse med zenerdioder 1 × s. 21
  3. 4.1 Kontrol af lagdeling og ensretteregenskaber for bipolare transistorer 1 × s. 31
  4. 4.2 Strømfordeling i transistoren og basisstrømmens styrevirkning 2 × s. 35
  5. 4.3 Transistorens karakteristikker 4 × s. 39
  6. 4.4 Arbejdsmodstandens indflydelse på transistoregenskaberne 1 × s. 44
  7. 5.1 Kontrol af lagdeling og ensretteregenskaber for FET’er 2 × s. 49
  8. 5.2 Ledekarakteristik for gatens PN-overgange i FET’er 1 × s. 51
  9. 5.3 Gatens styrevirkning i N-kanal-FET’en 1 × s. 53
  10. 5.4 FET’ens udgangskarakteristikker 2 × s. 56
  11. 6.1 Gatens styrevirkning i den selvspærrende MOSFET 1 × s. 63
  12. 6.2 Udgangskarakteristikker for den selvspærrende MOSFET 2 × s. 67
  13. 7.2 Unijunction-transistorens koblingskarakteristikker 1 × s. 75
  14. 7.3 Unijunction-transistorens styrekarakteristikker 1 × s. 78
  15. 8.1 Tyristordiode (DIAC) 1 × s. 81
  16. 8.2 Tyristortriode (tyristor) 3 × s. 84
  17. 8.3 Tovejstyristor (TRIAC) 2 × s. 89
V 0104 Grundlæggende elektronikkredsløb Håndbog · 243 sider 27 forsøg

Nævnt i 27 forsøg I håndbogen betegnet som 9108.2-1, 9108.2-3 Se indholdsfortegnelse

  1. 1.1 Grundlæggende forstærkerkoblinger med bipolare transistorer 2 × s. 1
  2. 1.2 Grundlæggende forstærkerkoblinger med felteffekttransistorer (FET) 1 × s. 6
  3. 1.3.1 Totrins vekselspændingsforstærker 1 × s. 11
  4. 1.3.2 Darlington-forstærker 2 × s. 15
  5. 1.3.3 Emitterkoblet forstærker 1 × s. 18
  6. 1.3.4 Fasevendertrin 2 × s. 21
  7. 1.3.5 Differensforstærker 2 × s. 25
  8. 1.3.6 Totrins jævnspændingsforstærker med komplementære transistorer 2 × s. 29
  9. 1.4 Push-pull-udgangsforstærker 1 × s. 33
  10. 1.5.1 Modkobling 3 × s. 37
  11. 1.5.2 Medkobling 1 × s. 43
  12. 2.1.1 Tærskelværdiafbryder (Schmitt-trigger) 2 × s. 48
  13. 2.3.1 Sinusgenerator med RC-led 1 × s. 61
  14. 2.3.2 Sinusgenerator med LC-led 1 × s. 63
  15. 3.1 Amplitudemodulator og -demodulator 2 × s. 65
  16. 3.2 Frekvensmodulator 1 × s. 70
  17. 4.2.1 Spændingsregulator (lineær) 1 × s. 87
  18. 4.2.2 Strømregulator 1 × s. 89
  19. 4.2.3 Switch-mode-spændingsregulator 1 × s. 92
  20. 5.1.1 Fasevinkelstyring med ensretning 1 × s. 99
  21. 5.1.2 Fasevinkelstyring uden ensretning 1 × s. 104
  22. 5.2 Fasevinkelstyring med TRIAC 1 × s. 108
  23. 5.3 Helbølgestyring med nulspændingsafbryder 2 × s. 111
  24. 7.1 Operationsforstærker som inverterende forstærker 1 × s. 133
  25. 7.2 Operationsforstærker som ikke-inverterende forstærker 1 × s. 137
  26. 7.3 Operationsforstærker som summator 1 × s. 140
  27. 7.4 Operationsforstærker som differensforstærker 1 × s. 145
V 0105 Grundlæggende forsøg i elektroteknik og elektronik Håndbog · 274 sider 21 forsøg

Nævnt i 21 forsøg I håndbogen betegnet som 9108.2-1 Se indholdsfortegnelse

  1. 4.5 Fotomodstand (LDR) 1 × s. 21
  2. 4.9 Ubelastet spændingsdeler 1 × s. 30
  3. 4.10 Belastet spændingsdeler 1 × s. 31
  4. 17.5 Jævnspændingsbegrænsning med zenerdioder 1 × s. 171
  5. 18.1 Kontrol af lagdeling og ensretteregenskaber for bipolare transistorer 1 × s. 183
  6. 18.2 Strømfordeling i transistoren og basisstrømmens styrevirkning 2 × s. 187
  7. 18.3 Transistorens karakteristikker 4 × s. 191
  8. 18.4 Arbejdsmodstandens indflydelse på transistoregenskaberne 1 × s. 196
  9. 18.5 Grundlæggende forstærkerkoblinger med bipolare transistorer 2 × s. 201
  10. 18.6 Strømregulator med transistor 1 × s. 206
  11. 18.7 Fasevendertrin med transistor 1 × s. 209
  12. 18.8 Sinusgenerator med RC-led 1 × s. 211
  13. 19.1 Tyristortriode (tyristor) 3 × s. 213
  14. 20.1 Operationsforstærker som inverterende forstærker 1 × s. 221
  15. 20.2 Operationsforstærker som ikke-inverterende forstærker 1 × s. 225
  16. 20.3 Operationsforstærker som summator 1 × s. 228
  17. 20.4 Operationsforstærker som differensforstærker 1 × s. 233
  18. 21.1 Modstandsmåling med Wheatstones bro 1 × s. 241
  19. 21.5 Maxwell-bro 1 × s. 251
  20. 21.6 Maxwell-Wien-bro 1 × s. 253
  21. 21.7 Kondensatormålebro 1 × s. 255