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Transistor unigiunzione

Tipo 9118.9

Transistor unigiunzione

Transistor unigiunzione (UJT) a innesto (UBB = 35 V, IE = 50 mA) in contenitore in plastica trasparente.

Descrizione

a innesto, in contenitore in plastica trasparente infrangibile, con tre spinotti a lamelle dorati

Il simbolo grafico è stampato in bianco sul lato superiore del contenitore.

Dati tecnici

  • Disposizione delle spine con passo di 19 mm
  • Diametro delle spine: 4 mm
  • Tensione inversa emettitore-base: -UEB = 30 V
  • Tensione interbase B1 / B2: UBB = 35 V
  • Corrente di emettitore: IE = 50 mA
  • Potenza dissipata totale: Ptot = 300 mW
  • Dimensioni del contenitore: 38 x 57 x 35 mm (L x P x A)
Torna alla panoramica Pagina di catalogo 13 (PDF, in tedesco)

I dati sono tratti dagli indici dei manuali di esercitazioni hps (titoli, numeri e pagine). Tutti i manuali sono in lingua tedesca; i titoli sono tradotti e il titolo originale tedesco compare passandoci sopra con il mouse. Tutti i manuali e le esercitazioni

V 0103 Componenti a semiconduttore Manuale · 168 pagine 3 esercitazioni

Citato in 3 esercitazioni Visualizza indice

  1. 7.1 Verifica del tratto interbase nel transistor unigiunzione 1 × pag. 73
  2. 7.2 Caratteristiche di commutazione del transistor unigiunzione 1 × pag. 75
  3. 7.3 Caratteristiche di comando del transistor unigiunzione 1 × pag. 78
V 0104 Circuiti fondamentali dell’elettronica Manuale · 243 pagine 2 esercitazioni

Citato in 2 esercitazioni Visualizza indice

  1. 5.1.1 Comando a parzializzazione di fase con effetto raddrizzante 1 × pag. 99
  2. 5.1.2 Comando a parzializzazione di fase senza effetto raddrizzante 1 × pag. 104