0
Unijunction-transistor

Type 9118.9

Unijunction-transistor

Stikbar unijunction-transistor (UBB = 35 V, IE = 50 mA) i et gennemsigtigt plasthus.

Beskrivelse

stikbar, i et brudsikkert, gennemsigtigt plasthus med tre forgyldte lamelstik

Diagramsymbolet er trykt i hvidt på husets overside.

Tekniske data

  • Stik placeret i 19 mm-raster
  • Stikdiameter: 4 mm
  • Emitter-basis-spærrespænding: -UEB = 30 V
  • Interbasisspænding B1 / B2: UBB = 35 V
  • Emitterstrøm: IE = 50 mA
  • Samlet effekttab: Ptot = 300 mW
  • Husets mål: 38 x 57 x 35 mm (B x D x H)
Tilbage til oversigten Katalogside 13 (PDF på tysk)

Oplysningerne stammer fra indholdsfortegnelserne i hps’ forsøgshåndbøger (titler, numre og sider). Alle håndbøger er på tysk; titlerne er oversat, og den oprindelige tyske titel vises, når du holder musen over. Alle håndbøger og forsøg

V 0103 Halvlederkomponenter Håndbog · 168 sider 3 forsøg

Nævnt i 3 forsøg Se indholdsfortegnelse

  1. 7.1 Kontrol af interbasisstrækningen i unijunction-transistoren 1 × s. 73
  2. 7.2 Unijunction-transistorens koblingskarakteristikker 1 × s. 75
  3. 7.3 Unijunction-transistorens styrekarakteristikker 1 × s. 78
V 0104 Grundlæggende elektronikkredsløb Håndbog · 243 sider 2 forsøg

Nævnt i 2 forsøg Se indholdsfortegnelse

  1. 5.1.1 Fasevinkelstyring med ensretning 1 × s. 99
  2. 5.1.2 Fasevinkelstyring uden ensretning 1 × s. 104