1 kΩ

In 3 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 2 Ohmsches Gesetz 2 × S. 7
2. 4.11 Belasteter Spannungsteiler 1 × S. 33
3. 7 Parallelschaltung von Spannungsquellen 2 × S. 41

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In 18 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 1.2 Kenngrößen der Sinusspannung 1 × S. 1
2. 1.3 Wirkleistung bei Sinusspannung 1 × S. 5
3. 1.4 Kenngrößen der Rechteckwechselspannung 1 × S. 9
4. 2.3 Verbraucher in Sternschaltung 3 × S. 19
5. 2.4 Verbraucher in Dreieckschaltung 3 × S. 23
6. 2.5 Messungen an fehlerhafter Sternschaltung 3 × S. 27
7. 2.6 Messungen an fehlerhafter Dreieckschaltung 3 × S. 31
8. 3.3 Phasenverschiebung zwischen Strom und Spannung am Kondensator 1 × S. 41
9. 3.4 Kapazitiver Blindwiderstand eines Kondensators 1 × S. 43
10. 3.5 Reihenschaltung von Kondensatoren 1 × S. 45
11. 3.7 Blindleistung eines Kondensators 1 × S. 49
12. 4.2 Ein- und Ausschaltvorgang an einer Spule 1 × S. 55
13. 4.3 Phasenverschiebung zwischen Strom und Spannung an einer Spule 1 × S. 59
14. 4.7 Blindleistung einer Spule 1 × S. 67
15. 5.2 Reihenschaltung von Widerstand und Kondensator 1 × S. 71
16. 5.3 Parallelschaltung von Widerstand und Kondensator 1 × S. 75
17. 5.4 Reihenschaltung von Widerstand und Spule 1 × S. 79
18. 5.5 Parallelschaltung von Widerstand und Spule 1 × S. 83

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In 11 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 2.1 Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden 1 × S. 11
2. 4.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 35
3. 4.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 2 × S. 44
4. 5.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs 2 × S. 49
5. 5.2 Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs 1 × S. 51
6. 5.3 Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET 2 × S. 53
7. 5.4 Ausgangskennlinien des FETs 3 × S. 56
8. 6.2 Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs 1 × S. 67
9. 8.1 Thyristordiode (DIAC) 1 × S. 81
10. 8.2 Thyristortriode (Thyristor) 4 × S. 84
11. 8.3 Zweirichtungsthyristor (TRIAC) 2 × S. 89

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In 30 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 1.1 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 3 × S. 1
2. 1.2 Verstärkergrundschaltungen mit Feldeffekt-Transistoren (FET) 3 × S. 6
3. 1.3.2 Darlington-Verstärker 2 × S. 15
4. 1.3.3 Emittergekoppelter Verstärker 3 × S. 18
5. 1.3.4 Phasenumkehrstufen 6 × S. 21
6. 1.3.5 Differenzverstärker 6 × S. 25
7. 1.3.6 Zweistufiger Gleichspannungsverstärker mit Komplementärtransistoren 3 × S. 29
8. 1.4 Gegentaktendverstärker 2 × S. 33
9. 1.5.1 Gegenkopplung 9 × S. 37
10. 1.5.2 Mitkopplung 3 × S. 43
11. 2.1.1 Schwellwert-Schalter (Schmitt-Trigger) 2 × S. 48
12. 2.3.1 Sinusgenerator mit RC-Glied 2 × S. 61
13. 3.1 Amplitudenmodulator und -demodulator 6 × S. 65
14. 3.2 Frequenzmodulator 3 × S. 70
15. 4.1.4 Spannungsvervielfacher 1 × S. 83
16. 4.2.1 Spannungsregler (linear) 1 × S. 87
17. 4.2.2 Stromregler 1 × S. 89
18. 4.2.3 Schaltspannungsregler 1 × S. 92
19. 4.3 Gleichspannungswandler 2 × S. 96
20. 5.1.1 Anschnittsteuerung mit Gleichrichterwirkung 1 × S. 99
21. 5.1.2 Anschnittsteuerung ohne Gleichrichterwirkung 1 × S. 104
22. 5.3 Vollwellensteuerung mit Nullspannungsschalter 6 × S. 111
23. 6.3 NICHT-Glied 1 × S. 124
24. 6.4 NAND-Glied 2 × S. 126
25. 6.5 NOR-Glied 2 × S. 129
26. 7.1 Operationsverstärker als invertierender Verstärker 3 × S. 133
27. 7.2 Operationsverstärker als nichtinvertierender Verstärker 2 × S. 137
28. 7.3 Operationsverstärker als Summierer 2 × S. 140
29. 7.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 2 × S. 145
30. 7.5 Dynamisches Verhalten des Operationsverstärkers 3 × S. 149

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In 41 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 2 Ohmsches Gesetz 2 × S. 7
2. 4.10 Belasteter Spannungsteiler 1 × S. 31
3. 7 Parallelschaltung von Spannungsquellen 2 × S. 39
4. 11.2 Kenngrößen der Sinusspannung 1 × S. 49
5. 11.3 Wirkleistung bei Sinusspannung 1 × S. 53
6. 11.4 Kenngrößen der Rechteckwechselspannung 1 × S. 57
7. 12.3 Verbraucher in Sternschaltung 3 × S. 67
8. 12.4 Verbraucher in Dreieckschaltung 3 × S. 71
9. 12.5 Messungen an fehlerhafter Sternschaltung 3 × S. 75
10. 12.6 Messungen an fehlerhafter Dreieckschaltung 3 × S. 79
11. 13.3 Phasenverschiebung zwischen Strom und Spannung am Kondensator 1 × S. 89
12. 13.4 Kapazitiver Blindwiderstand eines Kondensators 1 × S. 91
13. 13.5 Reihenschaltung von Kondensatoren 1 × S. 93
14. 13.7 Blindleistung eines Kondensators 1 × S. 97
15. 14.2 Ein- und Ausschaltvorgang an einer Spule 1 × S. 103
16. 14.3 Phasenverschiebung zwischen Strom und Spannung an einer Spule 1 × S. 107
17. 14.7 Blindleistung einer Spule 1 × S. 115
18. 15.2 Reihenschaltung von Widerstand und Kondensator 1 × S. 119
19. 15.3 Parallelschaltung von Widerstand und Kondensator 1 × S. 123
20. 15.4 Reihenschaltung von Widerstand und Spule 1 × S. 127
21. 15.5 Parallelschaltung von Widerstand und Spule 1 × S. 131
22. 17.4 Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden 1 × S. 169
23. 18.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 187
24. 18.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 2 × S. 196
25. 18.5 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 3 × S. 201
26. 18.6 Stromregler mit Transistor 1 × S. 206
27. 18.7 Phasenumkehrstufe mit Transistor 3 × S. 209
28. 18.8 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × S. 211
29. 19.1 Thyristortriode (Thyristor) 4 × S. 213
30. 20.1 Operationsverstärker als invertierender Verstärker 3 × S. 221
31. 20.2 Operationsverstärker als nichtinvertierender Verstärker 3 × S. 225
32. 20.3 Operationsverstärker als Summierer 3 × S. 228
33. 20.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 3 × S. 233
34. 20.5 Dynamisches Verhalten des Operationsverstärkers 3 × S. 237
35. 21.1 Widerstandsmessung mit der Wheatstone-Brücke 2 × S. 241
36. 21.2 Thevenin Teorem 8 × S. 244
37. 21.3 Norton Teorem 6 × S. 246
38. 21.4 Kirchhoffsche Gesetze 6 × S. 248
39. 21.5 Maxwell-Brücke 1 × S. 251
40. 21.6 Maxwell-Wien-Brücke 1 × S. 253
41. 21.7 Kondensator-Messbrücke 1 × S. 255

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